时间：2025/3/28 14:14:35
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TLGD190P是一种高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，从而提升了整体效率并降低了能耗。
此功率MOSFET属于N沟道类型，适用于高电流和高电压的应用环境。其封装形式通常为TO-220，能够提供良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：90A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：85nC
开关时间：开启延迟时间30ns，关断传播时间15ns
结温范围：-55℃至175℃
TLGD190P具备低导通电阻，可以显著降低导通损耗，非常适合于需要高效能转换的电路设计。
它还拥有快速的开关速度，有助于减少开关损耗，并且支持高频操作，使得相关应用可以采用更小尺寸的磁性元件。
此外，该器件具有强大的抗雪崩能力，能够在异常工作条件下保护自身免受损坏。
由于其优秀的热稳定性和可靠性，TLGD190P在工业控制和汽车电子领域中也有广泛应用。
开关电源中的主开关管
DC-DC转换器
电机驱动电路
负载开关
电池管理系统中的保护开关
逆变器电路
