型号：IXTP7N50
　　制造商：IXYS Corporation
　　封装类型：TO-247
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：7A
　　连续漏极电流（ID）@100°C：4.6A
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　功耗（PD）：125W
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS=10V：1.2Ω
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS=5V：1.5Ω
　　阈值电压（VGS(th)）典型值：4V
　　栅极电荷（Qg）典型值：35nC
　　输入电容（Ciss）典型值：1050pF
　　输出电容（Coss）典型值：190pF
　　反向恢复时间（trr）：460ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C

IXTP7N50具备出色的电气特性和热稳定性，能够在高电压和大电流条件下长时间可靠运行。其核心优势之一是低导通电阻RDS(on)，最大值在10V栅压下仅为1.2Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了能源利用效率，特别适合用于对能效要求较高的开关电源设计中。该器件的栅极电荷Qg典型值为35nC，属于中等偏低水平，这意味着它可以在较高频率下工作而不会导致过高的驱动损耗，从而支持更高频率的开关应用，如高频DC-DC转换器或谐振电源拓扑。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。IXTP7N50具有较快的开关速度，得益于较低的输入和输出电容（Ciss = 1050pF，Coss = 190pF），减少了充放电时间，从而缩短了开关过渡过程，进一步降低开关损耗。这对于提升系统整体效率至关重要，尤其是在高频操作环境中。同时，该器件具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下吸收一定的能量而不发生永久性损坏，提升了系统的鲁棒性。
　　热管理方面，TO-247封装提供了较大的散热面积和良好的热传导路径，使器件能够有效将热量传递至散热器，确保在高功率工作条件下结温保持在安全范围内。其最大功耗PD为125W，在适当的散热条件下可长期稳定运行。此外，该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应极端温度环境，适用于工业自动化、焊接设备、医疗电源等多种严苛应用场景。内置体二极管具有一定的反向恢复能力，但需注意其trr为460ns，在高频桥式电路中可能需要外加快恢复二极管以避免交叉导通问题。

IXTP7N50广泛应用于多种高电压、高效率的电力电子系统中。典型应用包括离线式开关电源（SMPS），特别是在反激式、正激式和半桥拓扑结构中作为主开关器件使用，能够有效处理来自交流电网的整流高压直流信号。在不间断电源（UPS）系统中，该器件可用于逆变器部分的功率切换，实现直流到交流的高效转换。此外，它也常见于DC-DC升压或降压变换器中，尤其适用于输入电压较高的工业电源模块。
　　在电机驱动领域，IXTP7N50可用于中小功率的交流或直流电机控制器中，承担PWM调速中的功率开关功能。其快速开关特性和较高的耐压能力使其能够应对电机启停过程中产生的电压尖峰。在太阳能逆变器、电池充电器、电焊机等需要高可靠性功率开关的设备中也有广泛应用。
　　由于其具备良好的热性能和电气稳定性，该器件同样适用于工业加热控制系统、电磁感应装置以及高压照明电源（如HID灯镇流器）。在这些应用中，器件需要长期处于高温、高湿或强电磁干扰环境下，IXTP7N50的坚固封装和高抗扰能力确保了系统的持续稳定运行。此外，在实验室电源、测试仪器和医疗设备电源模块中，该MOSFET也被用作关键的功率调节元件。

STP7NK50ZFP
　　IRFP450
　　FQP7N50