类型：光耦继电器
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：5mA（典型）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出负载电压（VON）：最高60V
　　连续负载电流（ION）：200mA
　　导通电阻（RON）：典型值8Ω，最大12Ω
　　隔离电压（VISOL）：2500Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　响应时间（TON/OFF）：典型值0.5ms / 0.3ms
　　封装形式：SOP-4
　　LED波长：约940nm
　　绝缘电阻：≥10^11Ω
　　寄生电容：约2pF

TL-N20MD1 2M 光耦继电器的核心特性之一是其基于光电MOSFET结构的输出开关机制，这种设计使得器件能够在没有机械触点的情况下实现类似于传统继电器的功能，从而避免了触点氧化、弹跳和磨损等问题，显著提升了系统的长期可靠性和使用寿命。其内部由一个红外LED和一对互补连接的光敏MOSFET组成，当输入端LED被驱动发光时，光线激发MOSFET的栅极，使其导通，从而允许电流在输出端流动；而当LED关闭时，MOSFET迅速截止，切断输出通路。这种全固态工作方式不仅提供了极高的耐久性（可承受数十亿次开关操作），还保证了非常一致的开关行为，不受振动、冲击或环境湿度影响。
　　另一个关键特性是其出色的电气隔离能力。TL-N20MD1 2M 支持高达2500Vrms的输入-输出隔离电压，能够有效防止高压瞬变、地环路噪声以及共模干扰对控制电路的影响，特别适合用于跨不同电源域或存在潜在电压差的系统之间进行信号切换。同时，该器件具有较低的输入驱动需求，仅需5mA左右的LED正向电流即可确保稳定触发，兼容TTL、CMOS等多种逻辑电平接口，简化了与微控制器、FPGA或其他数字控制单元的连接设计。
　　在性能方面，TL-N20MD1 2M 表现出色的导通特性，典型导通电阻仅为8Ω，这有助于减少信号路径上的压降和功率损耗，尤其适用于低电平模拟信号切换应用。其快速的响应时间（导通时间约0.5ms，关断时间约0.3ms）确保了高效的数据路由和实时控制能力。此外，器件内部集成有静电放电（ESD）保护结构和过热保护机制，增强了在恶劣工业环境下的鲁棒性。整体而言，TL-N20MD1 2M 在小型化、低功耗、高隔离和高可靠性之间实现了良好平衡，是一款理想的替代传统电磁继电器的现代固态解决方案。

TL-N20MD1 2M 光耦继电器广泛应用于多种需要安全隔离和精确信号控制的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块中的I/O信号切换、传感器接口隔离以及执行器驱动电路中，以提高系统的抗干扰能力和运行稳定性。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统（DAQ）或多路复用器架构中，该器件可用于选择不同的输入通道或配置测试路径，因其低导通电阻和高线性度，能有效保持模拟信号的完整性，适用于音频、低频模拟信号的切换任务。
　　在医疗电子设备中，由于其高隔离电压和低漏电流特性，TL-N20MD1 2M 可用于患者连接设备的信号通路控制，满足IEC 60601等医疗安全标准对电气安全的要求，保障操作人员和患者的安全。在通信系统中，它可用于电话线路交换、调制解调器信号路由或远程控制接口中，提供可靠的信号隔离和防雷击保护。此外，在电池管理系统（BMS）、电源监控单元以及嵌入式控制系统中，该器件可用于电池组切换、电压采样路径选择等功能，提升系统的灵活性和安全性。
　　由于其表面贴装封装和小型尺寸，TL-N20MD1 2M 特别适合空间受限的应用，如便携式仪器、智能仪表、楼宇自动化节点以及物联网（IoT）网关设备。其无触点设计也使其适用于粉尘、潮湿或高振动环境，弥补了传统电磁继电器在此类工况下的不足。综上所述，TL-N20MD1 2M 凭借其高可靠性、紧凑结构和多功能性，已成为现代电子设计中不可或缺的关键元器件之一。

TLP222G
　　TLP3543
　　PC817XNIP0Y
　　EL2H01