TK71650SCLH 时间：2025/12/28 15:58:08 阅读：12

TK71650SCLH是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，专为高效能功率应用设计。该器件采用先进的功率封装技术，具备优良的热管理和导通性能，适用于需要高可靠性和高效率的电源系统。该MOSFET主要面向工业控制、DC-DC转换器、电池管理系统和高功率LED驱动等应用领域。TK71650SCLH采用了小型化的表面贴装封装（SOP Advance），有助于节省PCB空间并提升整体系统集成度。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：10A
　　最大漏源电压：60V
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值）
　　栅极电压范围：10V～20V
　　工作温度范围：-55°C～150°C
　　封装类型：SOP Advance
　　功率耗散：48W
　　导通延迟时间：13ns
　　上升时间：22ns
　　关断延迟时间：29ns
　　下降时间：14ns

特性

TK71650SCLH具备出色的导通性能和较低的开关损耗，适用于高频率开关应用。其导通电阻仅为32mΩ，能够有效降低导通损耗并减少发热。该MOSFET的栅极设计支持较高的栅极电压（最高20V），有助于进一步优化导通性能。此外，该器件采用了先进的热管理封装技术，提高了散热效率，确保在高负载条件下仍能稳定运行。TK71650SCLH还具备良好的抗过热和过电流能力，内置的保护机制有助于提高系统可靠性。
　　该器件的开关性能也非常出色，导通延迟时间为13ns，关断延迟时间为29ns，配合快速的上升和下降时间，使其适用于高频开关电路。此外，其封装设计优化了寄生电感，有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。这些特性使TK71650SCLH成为高效电源管理系统的理想选择。

应用

TK71650SCLH广泛应用于各类功率电子系统，包括DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、电源适配器以及高功率LED照明驱动电路。在工业自动化和嵌入式系统中，该MOSFET可用于高效能开关电源和负载控制电路。此外，其优异的热性能和可靠性也使其适用于高温环境下的应用，如汽车电子和工业控制设备。由于其封装紧凑且性能稳定，TK71650SCLH也被广泛用于便携式设备和节能型电源模块。