时间：2025/8/13 6:37:32
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LNZ9F3V3ST5G 是一款由 ON Semiconductor 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：20V
最大连续漏极电流（Id）：6.5A
导通电阻（Rds(on)）：33mΩ @ Vgs = 10V
功率耗散（Pd）：2W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
LNZ9F3V3ST5G MOSFET 采用了先进的沟槽技术，使其具备较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。其低栅极电荷（Qg）和快速开关特性使其非常适合高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和马达控制。
此外，该器件的封装设计优化了热性能，确保在高电流条件下仍能保持稳定运行。其 TSOP 封装体积小巧，适用于空间受限的电路设计。
在可靠性方面，LNZ9F3V3ST5G 具备良好的抗静电能力和过热保护特性，适用于工业级和汽车电子应用。其宽工作温度范围（-55°C 至 150°C）也使其能够在极端环境下稳定工作。
该器件广泛应用于多种电源管理领域，例如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的 DC-DC 转换器和负载开关。它还适用于工业自动化设备中的马达控制电路、LED 照明驱动电路以及电池管理系统（BMS）。此外，LNZ9F3V3ST5G 还可用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。
Si2302DS, IRML2803, FDS6680
