TK5561A-PP 时间：2025/12/24 16:51:34 阅读：13

TK5561A-PP 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，属于N沟道增强型晶体管。该器件设计用于高效率的功率开关应用，适用于各种电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及工业控制设备。TK5561A-PP采用PP（Power Package）封装，具备良好的热管理和高电流承载能力，适合在中高功率场景下使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：60A
　　功耗(PD)：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：PP（Power Package）
　　导通电阻(RDS(on))：约3.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　输入电容(Ciss)：约2100pF（典型值）
　　上升时间(tr)：约30ns（典型值）
　　下降时间(tf)：约18ns（典型值）

特性

TK5561A-PP具备低导通电阻的特点，这使得在导通状态下其功耗极低，有助于提升整体系统效率。该器件的高电流承载能力（可达60A）使其适用于大功率负载切换和高效率DC-DC转换器的设计。此外，TK5561A-PP采用的PP封装形式提供了优异的热性能，能够有效将热量从芯片传导到散热器或PCB上，从而保证器件在高负荷工作时仍能保持稳定运行。
　　这款MOSFET还具有较强的抗雪崩能力和过热保护特性，适用于严苛的工作环境。由于其快速的开关特性（上升和下降时间分别为30ns和18ns），TK5561A-PP可以在高频开关应用中表现出色，减少开关损耗并提高系统效率。此外，该器件的输入电容较低，有助于减少驱动电路所需的能量，从而进一步提高系统的动态响应性能。

应用

TK5561A-PP广泛应用于各种功率电子设备中，如电源适配器、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制电路、负载开关以及工业自动化控制系统。在这些应用中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效的能量转换和精确的功率控制。此外，TK5561A-PP也适用于需要高可靠性和高性能的汽车电子系统，例如车载充电器和电动工具等。由于其优异的热管理和高耐压特性，该器件还可用于电源供应器和不间断电源（UPS）系统中，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。