时间：2025/12/28 14:38:55
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KMB035N40DB-RTF/H是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等多种高功率应用场景。该器件采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热能力，适合中高功率应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：400V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：35A（在TC=100℃）
导通电阻（RDS(on)）：0.035Ω（最大值，典型值）
功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
KMB035N40DB-RTF/H具有多项优良特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率，尤其适用于高电流工作的场合。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，优化了电流传导路径，进一步降低了RDS(on)，同时提升了器件的开关性能，减少了开关损耗。
此外，该器件具备较高的耐压能力（VDS为400V），可满足高压应用的需求，如开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路和LED照明驱动等。TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热性能，使得器件在高功率密度设计中仍能保持稳定运行。
其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了系统的灵活性。同时，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较高温度下可靠工作，增强了系统的耐用性和稳定性。
KMB035N40DB-RTF/H广泛应用于多种功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它常用于主开关或同步整流器，以提高电源转换效率并减小系统尺寸。在功率因数校正（PFC）电路中，该MOSFET能够有效降低能量损耗，提高电网利用率。此外，该器件适用于DC-DC转换器，如升压（Boost）、降压（Buck）及反相（Flyback）拓扑结构，广泛用于工业电源、服务器电源及通信设备电源模块。
在电机控制领域，KMB035N40DB-RTF/H可用于H桥驱动电路，实现对直流电机、步进电机或无刷直流电机的高效控制。同时，它也适用于LED照明驱动电路，提供稳定高效的恒流输出。
其他应用包括电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、UPS不间断电源、电动车充电模块以及各类高功率负载开关控制电路。
KMB035N40DB-RTF/H的替代型号包括STP35NF20、IRF3205、FDP35N20、TK35A60D、TK35A60S等。
