时间：2025/7/14 14:39:02
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TK50J60U是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于高效率电源转换系统中。该器件具有低导通电阻和优良的热性能，适用于如开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：600V
连续漏极电流（ID）：48A
导通电阻（RDS(on)）：0.21Ω（最大值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：3V至5V
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：150W
TK50J60U具备低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。该器件采用先进的平面条形工艺制造，提供了卓越的稳定性和耐用性。此外，其高雪崩能量耐受能力和强大的短路承受能力使其在极端条件下也能可靠运行。TO-220封装设计确保了良好的散热性能，同时便于安装和集成到各种电路板中。
这款MOSFET还具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，并支持高频操作，从而减小外部元件的尺寸和重量。其栅极驱动要求较低，可与多种控制器兼容，简化了驱动电路的设计。TK50J60U的可靠性经过严格测试，符合工业级质量标准，适用于对稳定性有高要求的应用场景。
TK50J60U常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、UPS系统、光伏逆变器、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制部分。
TK55J60U, TK49J60U
