时间：2025/6/23 21:58:39
阅读：6
TD817B1SLT1-FGV是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效提升电路效率并降低功耗。
其封装形式为TO-252（DPAK），支持表面贴装技术（SMT），适合自动化生产流程。该型号特别设计用于需要高可靠性和高效能的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：43A
导通电阻：1.8mΩ
总电荷量：39nC
栅极电荷：16nC
开关时间：ton=15ns, toff=18ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高额定电流能力，能够在重载条件下稳定运行。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持性能。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间，便于集成。
6. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力，提高产品可靠性。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统的负载切换。
4. DC-DC转换器和逆变器的核心元件。
5. LED照明驱动电路中的功率调节模块。
6. 工业自动化设备中的功率管理单元。
IRF3205, FDP5500, AO3400
