时间：2025/8/6 8:48:27
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MDMA140P1600TG 是一款由 STMicroelectronics 生产的碳化硅（SiC）功率MOSFET，专为高效率和高频应用设计。该器件具有卓越的导通和开关性能，适用于电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器和工业电源转换设备。SiC MOSFET技术显著降低了开关损耗，提高了系统效率，并允许在更高的开关频率下运行，从而减少了外围组件的尺寸和成本。
类型：SiC MOSFET
漏源电压（Vds）：1200V
连续漏极电流（Id）@ 25°C：140A
导通电阻（Rds(on)）：16mΩ
栅极电荷（Qg）：75nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
安装类型：通孔
功率耗散（Ptot）：300W
MDMA140P1600TG 具有多种显著特性，包括低导通电阻和极低的开关损耗，使其在高频率应用中表现优异。SiC材料的宽带隙特性提供了更高的热稳定性和更高的工作温度容忍度，从而减少了对复杂散热系统的需求。该器件的栅极氧化层设计优化了栅极可靠性和长期稳定性，确保在高应力工作条件下的耐用性。
此外，该MOSFET具有出色的短路耐受能力，能够在严苛的电力条件下保持稳定运行。其封装设计考虑了良好的热管理和电气隔离，支持高效散热和长期可靠性。MDMA140P1600TG 还具备快速恢复的内部二极管，减少了反向恢复损耗，提高了整体系统效率。
该器件适用于硬开关和软开关拓扑结构，包括降压、升压、半桥和全桥转换器。其高频能力允许使用更小的磁性元件和滤波电容，从而减少整体系统尺寸和重量。
MDMA140P1600TG 常用于高性能功率转换系统，如电动汽车车载充电器（OBC）、快速直流充电站、工业电机驱动、UPS系统以及可再生能源逆变器（如太阳能和风能）。此外，它还适用于高功率密度电源供应器、储能系统以及高效率服务器电源。由于其高耐压和低损耗特性，该MOSFET非常适合用于需要高可靠性和高效率的工业和汽车应用。
STL140N160K5, SCT30N160CR, SiC MOSFET 1200V 140A 系列
