类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　漏极雪崩能量（Eas）：750mJ（典型值）

TK3N50D2具有多项优秀的电气和热性能特点。首先，它具备较高的耐压能力（500V Vds），适用于高压应用环境。其次，其导通电阻较低（Rds(on) ≤2.5Ω），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件支持高达3A的连续漏极电流，适合中等功率的开关应用。
　　这款MOSFET采用了东芝先进的沟槽式栅极结构技术，提高了栅极控制的精度和响应速度，从而实现更快速的开关操作。同时，它具有良好的抗雪崩能力，能够承受一定的过载和瞬态应力，增强了系统的稳定性和可靠性。
　　TK3N50D2的TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于各种恶劣环境条件下的应用，如工业自动化、电源管理系统和LED驱动电源等。
　　另外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±30V Vgs），允许使用标准的驱动电路进行控制，简化了设计和应用过程。

TK3N50D2适用于多种高电压和中等功率的应用场景。常见的应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、LED照明驱动电源、充电器和电源管理系统。由于其高耐压和低导通电阻特性，该MOSFET在电源转换设备中表现出色，有助于提高系统效率并降低功耗。
　　此外，TK3N50D2还广泛用于工业自动化设备、消费类电子产品以及家电中的功率控制模块。例如，在LED驱动电路中，它可以作为开关元件用于调节亮度和电流控制；在电机驱动应用中，该器件可用于控制电机的转速和方向；在逆变器系统中，它则可作为主开关元件，实现高效的能量转换。
　　凭借其良好的热稳定性和抗雪崩能力，TK3N50D2也可用于环境条件较为严苛的工业和车载应用，如车载充电器、太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统。

TK4N50D2, TK3N50X, TK3N50D, IRF740, FQP5N50C