您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFH15N100

IXFH15N100 发布时间 时间:2025/8/6 9:11:41 查看 阅读:35

IXFH15N100 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高电压和高电流应用,如电源转换器、电机控制、逆变器、不间断电源(UPS)系统和工业自动化设备。这款 MOSFET 具有较高的电压和电流承受能力,适用于要求严苛的工业和电力电子应用。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压 Vds:1000V
  最大栅源电压 Vgs:±20V
  最大漏极电流 Id(连续):15A(Tc=25℃)
  导通电阻 Rds(on):典型值 0.35Ω
  最大功耗 Pd:150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
  封装类型:TO-247

特性

IXFH15N100 具备多种优良的电气和热性能,能够满足高可靠性电力电子系统的需求。其主要特性包括:
  ? 高耐压能力:漏源电压(Vds)最大可达 1000V,适合高电压应用环境。
  ? 优化的导通电阻:Rds(on) 典型值为 0.35Ω,降低了导通损耗,提高了系统效率。
  ? 高电流承载能力:在 25℃ 环境温度下可连续承载 15A 漏极电流,适合高功率密度设计。
  ? 快速开关特性:具备较低的栅极电荷(Qg)和开关时间,适用于高频开关操作。
  ? 热稳定性好:采用先进的封装技术,具备良好的散热能力,能够在较高温度下稳定工作。
  ? 宽温度范围:可在 -55℃ 至 +150℃ 的温度范围内稳定运行,适合工业级应用。
  这些特性使 IXFH15N100 成为高功率 DC-AC 逆变器、开关电源(SMPS)、电机驱动器和电池管理系统中的理想选择。

应用

IXFH15N100 主要应用于以下领域:
  ? 工业电源:如高功率开关电源、DC-DC 转换器、逆变器和不间断电源(UPS)。
  ? 电机控制:适用于无刷直流电机驱动、伺服控制系统和变频器。
  ? 可再生能源系统:如太阳能逆变器和风能转换系统中的功率开关。
  ? 电池管理系统:用于电池充放电控制和储能系统。
  ? 电动汽车和充电设备:作为功率开关用于电动车充电器、车载逆变器等。
  ? 电源管理模块:用于需要高电压和高效率的电源管理系统中。

替代型号

STF15N100, IRFP460, IXFH20N100

IXFH15N100推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFH15N100资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXFH15N100参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C700 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs220nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 25V
  • 功率 - 最大360W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件