H5TQ1G83DFR-RDC是一款由SK Hynix(海力士)公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其移动DRAM产品线,主要用于移动设备和嵌入式系统中。这款DRAM芯片采用了LPDDR3(低功耗双倍数据速率3)技术,具有低功耗和高性能的特点,适用于智能手机、平板电脑、便携式电子设备等对功耗敏感的应用场景。
容量:1Gb(128MB)
类型:LPDDR3 SDRAM
封装:BGA
电压:1.2V/1.8V
数据速率:400MHz(800Mbps)
组织结构:x8、x16、x32
工作温度:-40°C至+85°C
H5TQ1G83DFR-RDC的核心特性之一是其低功耗设计,非常适合用于电池供电的移动设备。该芯片支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式和自刷新模式,以最大限度地延长设备的电池寿命。此外,它还具有较高的数据传输速率,支持快速的数据存取,有助于提升设备的整体性能。该DRAM芯片采用了先进的制造工艺,确保了稳定性和可靠性,并且在高温环境下也能正常工作,适应各种严苛的应用条件。其BGA封装形式不仅节省空间,还提高了电气性能和散热效率。
H5TQ1G83DFR-RDC广泛应用于各类移动和嵌入式设备中,包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、便携式媒体播放器以及嵌入式控制系统。由于其低功耗和高性能的特性,这款DRAM芯片也适用于需要高效能计算能力的物联网(IoT)设备、车载信息娱乐系统和工业自动化设备。
H5TC4G63AMR-PBA