TK39N60W5是一款高性能的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
其封装形式为S1V(S),这种封装形式有助于提高散热性能,并且在高功率密度应用中表现出色。
最大漏源电压:600V
最大连续漏极电流:39A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:105nC
输入电容:2400pF
总功耗:270W
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 高耐压能力,适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻,能够显著减少导通损耗。
3. 快速开关特性,支持高频操作。
4. 小型化封装设计,节省PCB空间。
5. 具备出色的热稳定性,确保长时间可靠运行。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
1. 开关电源(SMPS)
2. 工业电机控制
3. 太阳能逆变器
4. 电动车驱动系统
5. UPS不间断电源
6. LED照明驱动电路
IRFP460, STP39NF60K5, FDP18N65C7