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TK39N60W5,S1V(S 发布时间 时间:2025/5/16 11:29:41 查看 阅读:20

TK39N60W5是一款高性能的MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  其封装形式为S1V(S),这种封装形式有助于提高散热性能,并且在高功率密度应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:600V
  最大连续漏极电流:39A
  导通电阻:0.18Ω
  栅极电荷:105nC
  输入电容:2400pF
  总功耗:270W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 高耐压能力,适合高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻,能够显著减少导通损耗。
  3. 快速开关特性,支持高频操作。
  4. 小型化封装设计,节省PCB空间。
  5. 具备出色的热稳定性,确保长时间可靠运行。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 工业电机控制
  3. 太阳能逆变器
  4. 电动车驱动系统
  5. UPS不间断电源
  6. LED照明驱动电路

替代型号

IRFP460, STP39NF60K5, FDP18N65C7

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