时间：2025/9/23 18:44:38
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TK3711Z-EBG-LF是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器以及其他需要低导通电阻和高开关性能的功率管理应用。该器件采用小型表面贴装封装（如SOP或类似封装），适合对空间要求较高的便携式电子设备。作为一款符合RoHS标准的环保型产品，TK3711Z-EBG-LF不含有害物质（如铅），并在制造过程中采用无卤素材料，满足现代电子产品对环保与可靠性的严格要求。该MOSFET的设计优化了栅极电荷和导通损耗，在高频开关条件下仍能保持良好的热稳定性和能效表现，适用于电池供电系统、智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及各类消费类电子产品中的负载开关或电源切换电路。其低阈值电压特性也使其能够与3.3V或更低逻辑电平直接驱动兼容，简化了驱动电路设计。
型号：TK3711Z-EBG-LF
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大连续漏极电流（Id）：5.8A
导通电阻Rds(on)：21mΩ @ Vgs=10V, Id=2.9A
导通电阻Rds(on)：26mΩ @ Vgs=4.5V, Id=2.9A
栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
输入电容（Ciss）：约800pF
开启延迟时间+上升时间：约13ns
关断延迟时间+下降时间：约28ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOP-8（标准小型封装）
安装类型：表面贴装（SMD）
通道数：单通道
极性：增强型
功耗（Pd）：2W（典型值，依PCB散热条件而定）
TK3711Z-EBG-LF具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于低导通电阻（Rds(on)）与快速开关响应能力的结合，使得在中等功率密度的应用场景下能够显著降低传导损耗并提高整体系统效率。该器件的Rds(on)在Vgs=10V时仅为21mΩ，在Vgs=4.5V时为26mΩ，这表明其即使在较低驱动电压下也能维持较低的导通压降，特别适用于由低压控制器直接驱动的场合，例如使用3.3V或5V逻辑信号控制电源通断的电路。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电容（Crss），有助于减少开关过程中的能量损耗，提升高频操作下的动态性能，从而有效抑制温升。
该器件采用了先进的沟槽型硅工艺技术，增强了载流子迁移率并优化了电流分布均匀性，提升了器件的耐久性和长期可靠性。同时，其较小的输入电容（Ciss）降低了驱动电路的负载，使驱动IC更容易实现快速充放电，进一步加快开关速度。在安全方面，TK3711Z-EBG-LF具备良好的雪崩能量耐受能力和过温保护特性，能够在瞬态过压或短路事件中提供一定程度的自我保护。封装方面采用SOP-8形式，不仅节省PCB空间，还通过外露焊盘设计增强了散热能力，允许通过PCB地平面进行有效热传导，延长器件使用寿命。整体而言，这款MOSFET在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电源管理系统的理想选择。
TK3711Z-EBG-LF广泛应用于各类便携式电子设备和中低功率电源管理系统中。典型应用场景包括移动设备中的电池电源开关、负载切换电路以及DC-DC buck或boost转换器的同步整流部分。由于其支持逻辑电平驱动且导通电阻低，常被用于智能手机和平板电脑中的背光驱动、摄像头模块供电控制以及主处理器核心电压调节电路。此外，它也可用于笔记本电脑主板上的多路电源域切换、USB端口的过流保护与热插拔控制，以及各类嵌入式系统中的电源管理单元（PMU）。在工业控制领域，该器件适用于传感器供电开关、小型电机驱动电路中的低端开关元件，以及可编程逻辑控制器（PLC）中的信号隔离与功率切换模块。得益于其环保认证和无铅焊接兼容性，TK3711Z-EBG-LF也符合汽车电子和医疗设备中对绿色环保材料的要求，因此在车载信息娱乐系统、车载充电器辅助电源以及便携式医疗监测设备中也有广泛应用。此外，由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，该MOSFET还能胜任在高温环境或电磁干扰较强的工业现场中稳定运行的任务。
TPSMB30A-TL-H
SISS10DN-T1-GE3
AO3400A
FDN340P
FDMC86262
