类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：180A
　　导通电阻(Rds(on))：5.3mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　最大功耗(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

TK1810K具有多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率，这对于高功率密度的电源设计尤为重要。
　　其次，该MOSFET具备高耐压能力（Vds=100V），能够在较高电压环境下稳定工作，适用于多种中高压功率转换应用。
　　此外，TK1810K支持高达180A的连续漏极电流，能够处理大电流负载，适用于高性能电源系统和电机控制应用。
　　该器件采用了东芝的U-MOS技术，该技术通过优化器件结构和材料，提升了器件的热稳定性与高频响应能力，有助于减少开关损耗并提高工作频率。
　　在封装方面，TK1810K采用标准的TO-247封装，便于安装和散热管理，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　最后，该MOSFET具有良好的热保护性能和抗过载能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行，提高了系统的可靠性和使用寿命。

TK1810K广泛应用于多种电源管理和功率转换设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电动工具、电动车控制器、工业自动化设备、UPS不间断电源系统、逆变器和电池管理系统等。
　　在开关电源中，TK1810K作为主开关元件，能够实现高效能的能量转换，适用于高功率适配器、充电器和服务器电源等设备。
　　在电机控制和电动工具中，该MOSFET可用于实现高速开关和精确的电流控制，提升设备的响应速度和效率。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，TK1810K可作为功率开关元件，协助实现高效的能量转换和管理。
　　此外，该器件也可用于高频功率放大器、负载开关和电源管理模块等应用，满足现代电子设备对小型化、高效率和高可靠性的需求。

TK18A50D, SiHF180N10DY, IRF1405, FDP180N10A