TK15H50C 时间：2025/7/17 20:47:31 阅读：13

TK15H50C 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各类开关电源系统中。该器件采用先进的沟槽式栅极技术，具备较低的导通电阻和优异的开关性能，能够在高频率下工作，提高系统的整体效率。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大漏极电流(Id)：15A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：0.38Ω @ Vgs = 10V
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2～4V
　　总耗散功率(Pd)：150W
　　封装形式：TO-220
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃

特性

TK15H50C MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构设计，使得其在导通状态下具有更低的Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了能效。
　　该器件的最大漏源电压为500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压环境下的应用。
　　其最大漏极电流可达15A，在适当的散热条件下可满足中高功率应用场景的需求。
　　此外，TK15H50C 的栅极阈值电压范围为2～4V，兼容标准逻辑电平驱动，便于与各种控制器或驱动IC配合使用。
　　该MOSFET具有高达150W的总耗散功率能力，能够在较高温度环境下稳定运行，增强了系统的可靠性。
　　封装形式为TO-220，是一种常用的功率封装形式，具有良好的散热能力和机械强度，适合工业级应用需求。

应用

TK15H50C 常用于以下类型的电子设备和系统中：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管，以提高转换效率；
　　2. DC-DC升压/降压转换器，特别是在需要高压输入的应用场合；
　　3. 电机驱动电路，如无刷直流电机控制、步进电机驱动等；
　　4. 工业自动化控制系统中的功率开关元件；
　　5. 充电器、逆变器及UPS不间断电源等电力电子设备；
　　6. 各类LED照明驱动电路，尤其是在高亮度LED灯串控制中。