TK15H50C 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各类开关电源系统中。该器件采用先进的沟槽式栅极技术,具备较低的导通电阻和优异的开关性能,能够在高频率下工作,提高系统的整体效率。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):500V
最大漏极电流(Id):15A(连续)
导通电阻(Rds(on)):0.38Ω @ Vgs = 10V
栅极阈值电压(Vgs(th)):2~4V
总耗散功率(Pd):150W
封装形式:TO-220
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
TK15H50C MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构设计,使得其在导通状态下具有更低的Rds(on),从而减少了导通损耗,提高了能效。
该器件的最大漏源电压为500V,能够承受较高的电压应力,适用于高压环境下的应用。
其最大漏极电流可达15A,在适当的散热条件下可满足中高功率应用场景的需求。
此外,TK15H50C 的栅极阈值电压范围为2~4V,兼容标准逻辑电平驱动,便于与各种控制器或驱动IC配合使用。
该MOSFET具有高达150W的总耗散功率能力,能够在较高温度环境下稳定运行,增强了系统的可靠性。
封装形式为TO-220,是一种常用的功率封装形式,具有良好的散热能力和机械强度,适合工业级应用需求。
TK15H50C 常用于以下类型的电子设备和系统中:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管,以提高转换效率;
2. DC-DC升压/降压转换器,特别是在需要高压输入的应用场合;
3. 电机驱动电路,如无刷直流电机控制、步进电机驱动等;
4. 工业自动化控制系统中的功率开关元件;
5. 充电器、逆变器及UPS不间断电源等电力电子设备;
6. 各类LED照明驱动电路,尤其是在高亮度LED灯串控制中。
TK22H50D, TK16H50D, IRF840, STP15NK50Z