TK11230BMCL是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。
该芯片属于N沟道增强型MOSFET,其出色的电气性能使其成为众多高效率电力电子应用的理想选择。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:30A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:85nC
开关时间:开通时间40ns,关断时间20ns
工作结温范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 高速开关能力,支持高频开关应用。
3. 内置ESD保护电路,增强抗静电能力。
4. 小型化封装设计,适合紧凑型布局需求。
5. 支持大电流输出,满足高功率应用场景。
6. 工作温度范围宽广,适应各种严苛环境条件。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各类负载开关及保护电路。
5. 充电器、适配器和逆变器等便携式设备的功率管理模块。
IRFZ44N, FDP170N06AE, STP30NF06L