时间：2025/5/13 17:14:56
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5AGXBB1D4F40I5N 是一款高性能的功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低热性能。其封装形式为TO-263，支持表面贴装技术（SMT），适合自动化生产。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：40A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：78nC
总电容：280pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
5AGXBB1D4F40I5N 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）确保了高效的能量转换，减少了功率损耗。
2. 高额定电流使其能够承受大负载需求，适用于工业级应用。
3. 快速开关能力使得它非常适合高频操作环境。
4. TO-263封装具备良好的散热性能，并且兼容现代表面贴装生产工艺。
5. 提供了较宽的工作温度范围，适应极端条件下的运行要求。
这款功率MOSFET适用于多种电力电子场景，包括但不限于以下应用：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 电机控制与驱动电路中的功率输出级。
3. DC-DC转换器中的同步整流或降压/升压功能实现。
4. 电池保护及充电管理系统中的关键组件。
5. 工业自动化设备中的负载切换和管理模块。
IRFZ44N, FDP5580, STP55NF06L
