类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2mΩ @ Vgs = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerPAK? SO-8 双封装

TISPPBL2P 具备多项优良特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件在10V栅极驱动电压下仅具有2.2mΩ的Rds(on)，这对于高电流应用非常关键。
　　其次，TISPPBL2P 采用PowerPAK? SO-8双封装技术，具有良好的热管理和电气性能，能够在高电流和高温环境下稳定运行。这种封装形式不仅提高了散热能力，还减小了PCB布局的面积需求，适合紧凑型设计。
　　此外，该MOSFET具有快速的开关速度，能够支持高频操作，减少开关损耗。其栅极驱动电压范围宽（通常支持±20V），增强了在不同驱动条件下的适应性。
　　在可靠性方面，TISPPBL2P 符合AEC-Q100汽车级认证，适用于汽车电子系统中的关键功率管理应用，如电动车辆的电池管理系统和DC-DC转换器。

TISPPBL2P 主要应用于需要高效功率控制的场合。其典型应用包括负载开关电路，用于控制高电流负载的开启和关闭，从而实现节能和过载保护。
　　在DC-DC转换器中，该器件可作为高边或低边开关，用于升压（Boost）或降压（Buck）变换器，提供高效率和小尺寸解决方案。
　　此外，TISPPBL2P 也广泛用于电池管理系统（BMS）中，作为电池充放电路径的控制元件，确保电池组的安全运行。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）、车载充电器（OBC）等应用，满足汽车工业对高可靠性和高效率的严格要求。
　　其他应用还包括服务器电源、工业自动化设备、UPS不间断电源以及高性能计算设备中的电源模块。

Si7461DP, IPB013N04N, AO4406A