时间：2025/12/29 10:39:11
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TISP8201H是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的双极性瞬态电压抑制器（TVS）阵列芯片，专为保护敏感的电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和浪涌电压等瞬态电压的损害而设计。该器件采用微型封装，适合用于空间受限的应用场景，如消费类电子产品、工业控制系统和通信设备。TISP8201H内部集成了多个TVS二极管结构，能够在极短的时间内将瞬态高压钳位到安全水平，从而保护后续电路不受损坏。
类型：瞬态电压抑制器阵列
通道数：2
工作电压：最大工作电压为5V
反向关态电压（VRWM）：5V
钳位电压（Vc）：典型值为12V（在Ipp = 1A条件下）
峰值脉冲电流（Ipp）：1A（每个通道）
响应时间：小于1ns
封装类型：SOT-23-5
工作温度范围：-40°C至+125°C
TISP8201H具有多项优异的性能特点，首先是其双极性设计，使其能够同时应对正负极性的瞬态电压，适用于交流信号线路或需要双向保护的直流线路。该器件的钳位电压非常低，在瞬态事件发生时可以迅速将电压钳制在安全范围内，从而避免对后级电路造成损伤。此外，TISP8201H的响应时间极短，小于1纳秒，这意味着它可以在电压尖峰尚未对电路造成影响之前就将其吸收，确保电路的安全运行。
另一个显著的特点是其紧凑的SOT-23-5封装形式，这种小型封装不仅节省空间，而且便于在高密度PCB布局中使用，非常适合便携式电子设备和嵌入式系统。同时，该器件具有很高的可靠性，在恶劣的电磁环境中依然能够稳定工作，符合IEC 61000-4-2等国际标准的要求，能够承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电。
此外，TISP8201H还具备低漏电流的特性，在正常工作状态下，其漏电流几乎可以忽略不计，不会对系统的功耗或信号完整性造成影响。这种低漏电流设计对于低功耗应用和高精度模拟电路尤为重要。
TISP8201H广泛应用于各种需要静电保护和瞬态电压抑制的电子系统中。常见的应用包括USB接口、HDMI接口、以太网端口等高速数据通信接口的保护。在这些接口中，TISP8201H可以有效吸收因插拔操作或外部干扰引起的静电放电和电压尖峰，防止这些瞬态电压对主控芯片或通信模块造成损害。
此外，该器件也适用于工业自动化设备中的信号采集和控制电路，尤其是在使用模拟传感器或数字输入输出接口的场合。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）中，TISP8201H可以用于保护输入/输出端口免受工业现场常见的电磁干扰和浪涌电压的影响。
由于其小型化封装和双向保护能力，TISP8201H也常用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等，用于保护触摸屏控制器、摄像头模块、Wi-Fi和蓝牙通信接口等关键部件。在这些设备中，TISP8201H不仅可以提供可靠的保护功能，而且不会增加额外的体积负担。
TLC7201H, ESDA6V1W5B, NUP4201BT1G
