时间：2025/12/28 21:51:06
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TISP8200MDR是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的保护器件，主要用于防止电子设备受到静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和浪涌等瞬态电压的损害。该器件属于瞬态电压抑制（TVS）二极管类别，采用双向保护结构，适用于保护敏感的电子电路，尤其是在工业和通信应用中。
类型：双向TVS二极管
工作电压：200V
最大钳位电压：330V
最大脉冲电流：100A（8/20μs波形）
峰值脉冲功率：1.8kW
反向截止电压：170V
响应时间：小于1ns
封装形式：SMD（表面贴装）
TISP8200MDR具有出色的瞬态电压抑制能力，能够在极短的时间内响应并吸收高能量的瞬态电压。其双向结构使其能够同时保护正负方向的电压过冲，适用于交流和直流电路。该器件的响应时间极短，通常在1纳秒以内，可以有效防止敏感电子元件受到瞬态电压的损坏。此外，TISP8200MDR采用了高可靠性的半导体工艺制造，具有良好的耐久性和稳定性，在恶劣的工作环境中也能保持出色的性能。其SMD封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和焊接。该器件的低漏电流特性也确保了在正常工作条件下对电路的影响极小，不会影响电路的正常运行。TISP8200MDR的高浪涌承受能力和低钳位电压设计，使其成为工业自动化、通信设备、仪表仪器等高可靠性应用的理想选择。
TISP8200MDR广泛应用于需要瞬态电压保护的电子设备中，特别是在工业控制系统、通信基站、安防监控设备、智能电表、电源模块等领域。它常用于保护接口电路（如RS-232、RS-485、CAN等）、传感器输入端口、以及各种模拟和数字信号线路，防止因静电、雷击或开关操作引起的瞬态电压对电路造成损害。
TCLAMP20202BDR, TPS2300, TISP7032M3H
