时间：2025/8/2 6:45:53
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AP10TN028YT 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高功率应用场景。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关等应用。AP10TN028YT 的封装形式为TO-252（DPAK），这种封装设计有助于提高热性能和机械强度，同时便于在PCB上安装和散热。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：75A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为2.8mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
AP10TN028YT 具备一系列优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流通过时，MOSFET的功率损耗保持在较低水平，从而提高整体效率并减少散热需求。该器件的导通电阻最大值为2.8毫欧，适用于高效率的功率转换应用。
其次，AP10TN028YT 具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为75A，这使得它能够应对高功率需求的场景，如服务器电源、工业控制系统和电动工具驱动电路。同时，其耐压能力高达100V，能够承受一定的电压波动，提高了系统的可靠性和稳定性。
AP10TN028YT 适用于多种高功率和高电流的应用场景。其主要应用包括服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、电池充电器、电动工具和工业控制系统。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件在电源管理模块中表现出色，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。此外，其坚固的封装设计和优良的热性能也使其适用于需要高可靠性和稳定性的工业和汽车电子应用。
AP10TN030KU, FDP10TN028, IRF1010N, FDS4410A
