型号：TISP61089QBDR
　　制造商：Texas Instruments
　　产品系列：TISP
　　通道数：2
　　工作电压（VRWM）：18V
　　击穿电压（VBR）：20V（最小值）
　　最大峰值脉冲电流（IPP）：4A（8/20μs波形）
　　钳位电压（VC）：35V（典型值，IPP = 4A时）
　　电容值（CIO）：0.4pF（典型值，f = 1MHz）
　　ESD保护能力：±30kV（IEC 61000-4-2, 空气与接触放电）
　　反向漏电流（IR）：10nA（最大值，VR = 18V）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：X2SON-6 (DSBGA-6)
　　安装方式：表面贴装（SMD）

TISP61089QBDR具备卓越的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应并泄放大能量的瞬态过压事件，如静电放电（ESD）和电快速瞬变脉冲群（EFT）。其核心特性之一是超低结电容，典型值仅为0.4pF，在高频信号传输路径中几乎不会引入信号衰减或失真，因此非常适合应用于高速数据接口，例如USB 2.0、HDMI、MIPI、I2C、SPI以及射频前端模块等。这种低电容设计确保了信号完整性不受影响，同时仍能提供强大的ESD防护等级，满足甚至超过IEC 61000-4-2国际标准中的±30kV空气和接触放电要求。
　　该器件采用双向二极管结构，支持交流信号或双向直流偏置信号的保护，适用于差分对或单端信号线路。其钳位电压非常低，在4A的峰值脉冲电流下典型值为35V，这意味着在发生瞬态事件时，被保护的下游IC所承受的电压应力显著降低，从而提高了系统的可靠性和寿命。此外，TISP61089QBDR具有极低的漏电流（最大10nA），在正常工作条件下几乎不消耗额外功耗，特别适合电池供电的便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
　　在物理结构方面，X2SON-6封装尺寸极小（约1mm × 0.9mm × 0.37mm），有助于节省PCB布局空间，并便于集成到高密度组装环境中。该封装还具有良好的热性能和电气性能，能够有效传导热量并减少寄生电感，进一步提升瞬态响应速度。器件的工作温度范围宽达-40°C至+125°C，适用于各种严苛环境下的工业、汽车和消费类应用场景。整体而言，TISP61089QBDR是一款高性能、小尺寸、低功耗的瞬态保护解决方案，兼顾了保护强度与信号质量的需求。

TISP61089QBDR广泛应用于需要高等级ESD保护且对信号完整性要求较高的电子系统中。典型应用包括便携式消费电子产品中的高速接口保护，如智能手机和平板电脑的USB Type-C、Micro-USB、耳机插孔音频线路、触摸屏控制器连接线等。在这些设备中，用户频繁插拔外设或直接接触接口，极易引入静电放电，因此必须使用高效的TVS阵列进行前端防护。
　　此外，该器件也常用于工业自动化设备中的传感器信号调理电路、PLC输入输出模块以及现场总线接口，以抵御工厂环境中常见的电气噪声和瞬态干扰。在通信领域，它可用于保护以太网PHY接口、RS-485收发器、CAN总线节点等关键通信链路，防止因雷击感应或电源切换引起的电压浪涌损坏主控芯片。
　　在汽车电子方面，尽管该器件并非专为AEC-Q101认证设计，但在非动力域的车载信息娱乐系统（IVI）、后排显示屏、车内摄像头和麦克风阵列中也有实际应用案例，特别是在成本敏感且空间受限的设计中表现出色。其他潜在用途还包括医疗设备中的患者连接接口、测试测量仪器的探头输入端口以及物联网终端节点的无线模块天线开关控制线等。总之，凡是存在低功率、高速信号传输并面临外部电磁干扰风险的场合，TISP61089QBDR都是一种理想的过压保护选择。

TPD1E10B06DPYR
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　　SP1006-01UTG