类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（典型值）
　　功耗（PD）：75W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-3

JANTX2N1304 具备一系列优良的电气和机械特性，适用于高可靠性和高功率要求的应用场景。
　　首先，该器件是一款N沟道增强型MOSFET，具有较高的电压和电流承受能力。其最大漏-源电压为100V，最大漏极电流为12A，使其适用于中等功率的开关和放大应用。栅极驱动电压范围为±20V，允许使用标准的逻辑电平驱动电路进行控制，同时具备一定的过压保护能力。
　　其次，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）典型值为0.35Ω，这一参数对于降低导通损耗、提高系统效率至关重要。较低的RDS(on)还减少了工作时的发热，提高了整体系统的稳定性。
　　此外，JANTX2N1304 采用TO-3金属封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度的设计。TO-3封装也提供了更高的机械强度和长期可靠性，尤其适合在恶劣环境中使用，如航空航天、军事通信设备、工业自动化系统等。
　　JANTX系列属于军用级别的电子元器件，具备严格的质量控制体系和环境适应能力。其工作温度范围为-55°C至+150°C，能够适应极端温度条件下的运行需求。这种高可靠性使其成为关键任务系统中的优选器件。
　　最后，该MOSFET具有较高的开关速度，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、脉宽调制（PWM）控制器等应用。其低输入电容和快速响应能力，有助于提高电路的动态性能，减少开关损耗。

JANTX2N1304 适用于多种高可靠性与高功率需求的应用领域。由于其优良的电气性能和军用级别的可靠性，它广泛用于航空航天、军事电子系统、雷达、通信设备以及工业自动化控制系统。在电源管理方面，该器件可用于DC-DC转换器、稳压器、电池管理系统以及开关电源设计。此外，JANTX2N1304 也适用于电机控制、继电器驱动、LED照明控制等功率开关应用。由于其良好的高频响应，该器件还常用于射频（RF）功率放大器和脉宽调制（PWM）控制电路中。

IRF540, IRFZ44N, 2N6756, BUZ11