CXK5863BJ-25-T6是一款由CYPRESS(赛普拉斯)公司生产的串行静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件采用高速CMOS工艺制造,适用于需要快速读写和低功耗的应用场合。该芯片具有256K位的存储容量,采用紧凑的TSOP封装形式,适合便携式设备和高密度电路板设计。
容量:256K位
组织方式:32K x 8
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:25ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
接口类型:并行异步
封装尺寸:8mm x 14mm
引脚数量:52
封装材料:塑料
CXK5863BJ-25-T6是一款高性能的低功耗SRAM芯片,适用于多种工业和通信应用。该芯片的高速访问时间(25ns)使其能够满足对数据读写速度要求较高的系统需求。其宽电压范围(2.3V至3.6V)设计增强了器件在不同电源条件下的兼容性,并提高了系统的灵活性。
该SRAM芯片采用了CMOS技术,具有较低的静态和动态电流消耗,从而在保持高性能的同时实现节能。此外,其TSOP封装形式不仅节省空间,还具有良好的热稳定性和机械可靠性,适用于高密度PCB布局和便携式电子产品。
芯片支持异步读写操作,具备简单的接口逻辑,便于与各种微处理器和控制器连接。其宽温工作范围(-40°C至+85°C)使其适用于各种严苛环境下的工业应用。
CXK5863BJ-25-T6广泛应用于需要高速数据存储和低功耗特性的系统中。常见应用包括工业控制系统、通信模块、网络设备、嵌入式系统、数据采集装置以及消费类电子产品。例如,它可以作为微控制器系统的外部高速缓存,或者用于图像处理设备中的帧缓冲存储器。
CY62148EVLL-45ZSXC, CY62148EELL-45ZSXC, CY62157EVLL-45ZSXC, CY62157EELL-45ZSXC