您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > TISP4A250H3BJR-S

TISP4A250H3BJR-S 发布时间 时间:2025/12/28 21:54:59 查看 阅读:26

TISP4A250H3BJR-S 是由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的一款四通道瞬态电压抑制器(TVS),用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌等瞬态电压的损害。该器件采用SOT-323封装,适合用于各种高精度和高可靠性应用场景。

参数

类型:瞬态电压抑制器(TVS)
  通道数:4
  反向工作电压(VRWM):250V
  最大钳位电压(Vc):400V(在测试电流条件下)
  峰值脉冲电流(IPP):1A(8/20μs波形)
  响应时间:低于1ns
  封装类型:SOT-323
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

TISP4A250H3BJR-S 具备优秀的瞬态电压抑制性能,能够快速响应并吸收瞬态电压冲击,从而有效保护下游电路。该器件的响应时间极短,通常低于1纳秒,使其能够在面对静电放电或快速瞬态干扰时迅速反应。其最大反向工作电压为250V,表明它能够承受较高电压的持续应力,而钳位电压则被控制在400V以内,以减少对受保护电路的影响。
  此外,TISP4A250H3BJR-S 采用四通道结构,适用于多线路保护,例如通信线路、接口电路和传感器线路。SOT-323的小型封装设计使其适用于高密度PCB布局,同时保持了良好的热管理和电气性能。该器件的浪涌耐受能力高达1A(在8/20μs测试条件下),适用于对瞬态过电压有较高要求的工业和消费类电子产品。
  由于其优异的电气特性,TISP4A250H3BJR-S 可以在恶劣电磁环境中提供稳定的保护,避免由于外部干扰引起的系统故障或元件损坏。

应用

TISP4A250H3BJR-S 主要用于需要多通道瞬态电压保护的场合,如通信设备、工业控制系统、消费类电子产品、汽车电子模块以及传感器接口等。其紧凑的封装和高效的保护性能使其成为现代电子设计中不可或缺的保护元件。

替代型号

TISP7035H3BR, TVS0502B-HF-R5

TISP4A250H3BJR-S推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

TISP4A250H3BJR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 最大转折电流 IBO60 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM100 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.005 mA
  • 正向电压下降3 V
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 封装 / 箱体SMB
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C