类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件：VCE=6V, IC=5mA）
　　特征频率（fT）：8GHz
　　噪声系数（NF）：1.1dB（典型值，f=1GHz）
　　功率耗散（PD）：150mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：S-Mini (USP-6C)
　　极性：NPN
　　过渡频率：8GHz
　　最大集电极电流：150mA
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V

2SC4672G-B-AB3晶体管具备出色的高频性能，其特征频率（fT）高达8GHz，使其能够在GHz级别的高频环境下稳定工作，特别适用于微波和射频放大电路。该器件在高频段表现出低噪声特性，典型噪声系数仅为1.1dB（在1GHz频率下），这对于需要高信噪比的应用如无线接收前端、低噪声放大器（LNA）等至关重要。晶体管的直流电流增益（hFE）范围宽广，达到70至700，在不同工作电流条件下仍能保持较高的放大倍数，提升了电路设计的灵活性与适应性。此外，其增益平坦度良好，在宽频带内增益波动小，有助于实现更线性的信号放大效果。
　　该器件采用S-Mini小型封装（USP-6C），尺寸紧凑，适合高密度贴装的现代电子产品，如智能手机、无线模块、蓝牙设备和Wi-Fi收发器等。封装结构具有良好的热传导性能和机械稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行（工作结温从-55°C到+150°C）。2SC4672G-B-AB3还具备较高的击穿电压参数，集电极-发射极电压可达50V，集电极-基极电压达70V，增强了其在瞬态电压或负载突变情况下的耐受能力。同时，较低的寄生电容设计减少了高频信号的损耗和相位失真，提高了整体电路效率。
　　在制造工艺方面，该晶体管采用先进的硅外延平面技术，确保了器件的一致性和长期可靠性。产品通过了严格的品质认证，符合无铅和绿色环保标准（RoHS合规），支持现代电子产品的环保要求。其电气参数经过严格筛选和测试，保证批次间一致性，便于自动化贴片生产。此外，该器件对静电敏感度较低，具备一定的抗ESD能力，降低了在生产和使用过程中的损坏风险。综合来看，2SC4672G-B-AB3是一款高性能、高可靠性的高频NPN晶体管，适用于对噪声、增益和频率响应有严苛要求的应用场景。

2SC4672G-B-AB3广泛应用于高频和射频电子系统中，典型用途包括无线通信设备中的低噪声放大器（LNA），用于增强接收到的微弱射频信号，提高接收灵敏度。在移动通信终端如智能手机、平板电脑和物联网模块中，该晶体管可用于3G/4G/5G射频前端电路，执行小信号放大任务。此外，它也适用于UHF频段的电视调谐器、卫星接收装置和无线遥控系统中的高频放大级。
　　在测试仪器和测量设备中，2SC4672G-B-AB3因其低噪声和高增益特性，常被用于高频信号发生器、频谱分析仪和示波器的前置放大电路。在民用和工业领域的无线传感器网络、RFID读写器、蓝牙和ZigBee通信模块中，该器件能够有效提升信号传输质量和系统稳定性。
　　此外，该晶体管还可用于高速开关电路，例如脉冲信号放大器、数字逻辑接口驱动电路以及高速数据传输系统中的缓冲级。由于其良好的温度稳定性和长期可靠性，2SC4672G-B-AB3也被应用于汽车电子系统中的车载通信模块和导航设备。总之，凡是需要在高频条件下实现低噪声、高增益放大的应用场景，都是2SC4672G-B-AB3的理想选择。

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　　 "2SC4672",
　　 "2SC4672-R",
　　 "2SC4672G-B"
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