TISP4350M3BJR 是一款由STMicroelectronics生产的双向瞬态电压抑制器(TVS)二极管,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和雷电浪涌等瞬态电压的损害。该器件具有较低的击穿电压和快速响应时间,适用于高敏感度的电子电路保护。
类型:双向TVS二极管
击穿电压(Vbr):43.5 V(最小值),48.3 V(典型值),53.1 V(最大值)
最大钳位电压(Vc):68.4 V
最大峰值脉冲电流(Ipp):5 A
最大反向漏电流(Ir):1 μA(最大值)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23-3
TISP4350M3BJR 具有优异的瞬态电压保护性能,能够在极短的时间内响应并吸收高能量的瞬态电压。其双向特性使其能够适用于正负电压波动的保护。该器件采用SOT-23-3封装,体积小,便于在高密度电路板上布局。此外,TISP4350M3BJR 的低漏电流特性确保了在正常工作条件下不会对电路造成显著影响,同时具有良好的热稳定性和长期可靠性,适用于多种工业和消费类电子产品。
TISP4350M3BJR 主要用于通信设备、工业控制设备、消费类电子产品、电源管理系统和汽车电子系统中的电路保护。它特别适用于保护敏感的模拟和数字电路免受外部瞬态电压的损害。
P4SMA43A, SMAJ43CA, TPD3E081