IS46TR16128BL-125KBLA2-TR 是由Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有16位数据总线宽度和128K x 16的存储容量,适用于需要高速数据访问和高可靠性的应用。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高速访问时间和宽工作温度范围等优点,适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等领域。
容量:128K x 16
组织结构:128K地址,每个地址16位数据
访问时间:125ns
电源电压:3.3V(Vcc)
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
数据总线宽度:16位
接口类型:异步
功耗:典型值约100mA(待机模式下低于10mA)
IS46TR16128BL-125KBLA2-TR 是一款高性能的异步SRAM,专为高速数据存储和访问需求设计。该芯片的最大访问时间为125ns,确保了在高频应用中的快速响应能力。采用CMOS工艺制造,不仅提高了集成度,还降低了功耗,使得该芯片适用于对功耗敏感的应用场景。
该SRAM芯片支持异步操作,意味着它可以在没有时钟信号的情况下进行读写操作,从而简化了系统设计并提高了灵活性。16位的数据总线宽度使其能够一次处理更多数据,提升了数据吞吐量。
IS46TR16128BL-125KBLA2-TR 提供了多种低功耗模式,包括待机模式,在该模式下电流消耗显著降低,非常适合需要节能设计的设备使用。其TSOP封装形式不仅节省空间,还便于自动化生产装配。
该器件具有高可靠性,能够在-40°C至+85°C的工业温度范围内稳定工作,适用于严苛环境下的应用,如工业控制、通信设备和车载系统等。
IS46TR16128BL-125KBLA2-TR 适用于多种需要高速、低功耗和高可靠性的应用场景。其中包括工业控制系统,如PLC、运动控制和传感器网络;通信设备,如路由器、交换机和无线基站;嵌入式系统,如医疗设备、测试仪器和智能卡终端;以及汽车电子系统,如车载导航、车载娱乐系统和发动机控制单元等。
由于其异步接口和高速访问能力,该芯片常用于需要缓存、帧缓冲或临时数据存储的场合。此外,其低功耗特性也使其成为电池供电设备或需要长时间运行的系统中的理想选择。
IS46TR16128B-125KBLA2-TR, CY62167EV30LL-125BZS, IDT71V128L125BXXGI, ISSI IS46R16128AL-125KBLA2-TR