时间：2025/8/30 21:11:12
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TISP4350H4BJR-S是一款由STMicroelectronics制造的四通道双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌等瞬态电压的危害而设计。该器件采用小型SMD封装，适合用于空间受限的高密度电路设计，广泛应用于工业控制、消费电子和通信设备等领域。
工作电压（VRWM）：43.5V
钳位电压（VC）：72V（在Ipp=1A时）
峰值脉冲电流（Ipp）：1A（每通道）
通道数：4（双向通道）
封装类型：SOT-323
工作温度范围：-55°C至+150°C
ESD耐受能力：±30kV（接触放电）
响应时间：<1ns
TISP4350H4BJR-S具备快速响应时间和低钳位电压的特性，使其在面对瞬态过电压时能迅速导通并吸收有害能量，从而有效保护下游电路。其四通道双向结构支持同时保护多个信号线路，非常适合用于保护高速数据线和控制信号线。
该器件采用SOT-323封装，体积小巧，便于在PCB布局中实现紧凑设计。同时，其低漏电流（通常小于100nA）确保了在正常工作条件下对电路的影响极小，不会影响信号完整性。
此外，TISP4350H4BJR-S具有高可靠性，在极端环境条件下仍能稳定工作，符合IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等国际标准对ESD、EFT和浪涌保护的要求。
TISP4350H4BJR-S适用于多种需要ESD保护的应用场景，包括但不限于工业自动化设备、便携式电子产品、通信模块、传感器接口和家用电器。该器件特别适合用于保护USB、HDMI、CAN总线等高速信号线路，防止静电和瞬态电压对系统造成损坏。
TI公司的TPD4E05U06和NXP的PRTR5V0U2F均为可考虑的替代型号。
