时间：2025/8/7 14:03:09
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TISP4265H3BJR是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的双向瞬态电压抑制器（TVS）二极管，专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和浪涌电压的影响而设计。该器件采用先进的硅雪崩技术，具有快速响应时间和高浪涌吸收能力，适用于各种工业、通信和消费类电子设备。TISP4265H3BJR采用了SOT-23-3封装，具有较小的封装体积，适合高密度PCB布局。
类型：双向TVS二极管
工作电压：5.5V
击穿电压：6.1V（最小）至6.77V（最大）
钳位电压：13.3V（在Ipp=5A时）
峰值脉冲电流（Ipp）：5A
响应时间：<1ns
封装形式：SOT-23-3
TISP4265H3BJR具有多项优异的电气和物理特性，使其成为高可靠性保护电路的理想选择。
首先，该器件具备高浪涌电流吸收能力，能够在极端电压瞬变条件下提供稳定的保护。其峰值脉冲电流可达5A，足以应对大多数常见的ESD和EFT干扰。其次，TISP4265H3BJR的响应时间小于1纳秒，这意味着它能够在电压突变发生的瞬间迅速反应，将电压钳制在安全范围内，从而有效防止对后级电路的损害。
此外，该TVS二极管的工作电压为5.5V，适用于低压电路保护，尤其适合用于USB接口、HDMI接口、以太网端口等高速数据线路的保护。其双向导通特性使其在正负极性电压突变下都能提供一致的保护性能，非常适合用于交流信号线路或双向数据通信线路。
在封装方面，TISP4265H3BJR采用标准的SOT-23-3封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产。其小型封装也有助于节省PCB空间，适用于紧凑型电子产品设计。
该器件的工作温度范围广泛，通常为-55°C至+150°C，适用于多种恶劣工作环境。此外，TISP4265H3BJR符合IEC 61000-4-2 Level 4标准，能够承受高达±30kV的空气放电和±30kV的接触放电，适用于高静电环境中的电路保护。
TISP4265H3BJR广泛应用于需要高可靠性和高性能保护的电子系统中。典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的USB、HDMI等高速接口保护；工业控制系统中的传感器接口、通信模块保护；以及消费类电子产品中的电源管理电路、数据线路保护等。
由于其双向特性，该器件也常用于RS-485、CAN总线等工业通信接口的保护，确保在电磁干扰（EMI）或静电放电情况下通信的稳定性。此外，在汽车电子系统中，TISP4265H3BJR可用于保护车载娱乐系统、仪表盘接口、车载充电器等关键电路。
在通信设备中，该TVS二极管可用于以太网PHY接口、DSL调制解调器、光纤收发模块等高速数据通道的保护，防止因雷击、静电或电源故障引起的电压瞬变对设备造成损害。
PESD5V0S1BA; ESDA6V1W5B; TPD3E081; SP3052-05LT1G
