时间:2025/12/27 19:45:35
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TISP4260F3D是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的瞬态抑制二极管阵列(TVS Array),专门用于保护敏感电子电路免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应等瞬态电压事件的损害。该器件属于其TISP系列,采用先进的双线双向设计,适用于高速数据线路和电源线路的过压保护。TISP4260F3D集成了多个TVS二极管,能够在纳秒级时间内响应瞬态过压脉冲,并将其钳位至安全水平,从而确保后端电路的安全运行。该芯片广泛应用于工业通信接口、消费类电子产品以及汽车电子系统中,特别是在需要高可靠性和紧凑封装的场合表现出色。其设计符合国际电磁兼容性(EMC)标准,如IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)和IEC 61000-4-5,使其成为严苛电磁环境下的理想选择。
型号:TISP4260F3D
制造商:STMicroelectronics
通道数:2
工作电压(VRWM):60V
击穿电压(VBR):最小67V,典型74V
钳位电压(VC):最大145V(在IPP=1A时)
峰值脉冲电流(IPP):1A(8/20μs波形)
寄生电容:典型值为15pF(每通道)
漏电流(IR):最大1μA
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
封装类型:SOT-23-6L
TISP4260F3D具备出色的瞬态电压抑制能力,能够在极短时间内对高达145V的瞬态过压进行有效钳位,确保下游电路不受损坏。其双向结构设计使其适用于交流信号线路或可逆极性电源系统的保护,无需考虑极性连接问题,提升了设计灵活性。每个通道具有低至15pF的寄生电容,这一特性对于高速数据传输线路尤为重要,因为它能最大限度地减少信号失真和高频衰减,确保通信质量不受影响。此外,低漏电流(最大1μA)意味着在正常工作条件下几乎不消耗额外功耗,适合用于电池供电或低功耗系统。
该器件采用紧凑的SOT-23-6L小型化表面贴装封装,占用PCB空间极小,非常适合高密度布局的应用场景。其坚固的结构和宽广的工作温度范围(-40°C至+125°C)使其可在恶劣环境条件下稳定运行,包括高温工业环境或低温户外设备。TISP4260F3D通过了多项国际认证,符合IEC 61000-4-2 ESD防护等级Level 4要求,支持±8kV接触放电和±15kV空气放电,展现出卓越的抗干扰能力和系统可靠性。同时,它还能承受IEC 61000-4-5规定的浪涌测试条件,进一步增强了在电力波动频繁或雷击风险较高地区的适用性。
集成化的多通道设计简化了电路布局与元器件管理流程,减少了使用分立TVS二极管带来的复杂布线问题。相较于传统保护方案,TISP4260F3D不仅提高了整体系统的鲁棒性,还降低了物料成本和装配难度。其内部优化的芯片工艺确保了一致的电气特性和长期稳定性,避免因器件老化而导致性能下降。总体而言,TISP4260F3D是一款高性能、高集成度且易于使用的瞬态保护解决方案,特别适用于对空间、效率和可靠性有严格要求的现代电子系统。
TISP4260F3D常用于各类需要高等级ESD和浪涌保护的电子接口电路中。典型应用场景包括RS-485、CAN总线、USB数据线、I2C/SPI通信链路以及其他工业通信接口的信号线路保护。由于其60V的工作电压和良好的瞬态响应能力,也适用于中低压电源轨的过压防护,例如传感器供电线路或控制器局域网(CAN)节点电源。在消费类电子产品中,该器件可用于智能手机、平板电脑和平板显示器中的触摸屏控制器或摄像头模块接口保护,防止用户操作过程中产生的静电损伤内部IC。在汽车电子领域,TISP4260F3D可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统及辅助驾驶系统的低速数据总线防护,满足车规级EMC要求。此外,在工业自动化设备、智能仪表、远程监控终端等长期运行于复杂电磁环境下的装置中,该器件能够显著提升系统抗扰度和平均无故障时间(MTBF),保障关键任务连续运行。其小型封装和高可靠性也使其适用于便携式医疗设备、物联网节点和无线传感网络等对尺寸和功耗敏感的设计平台。
SM712-02UTCG
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