您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > TISP4250M3BJR-S

TISP4250M3BJR-S 发布时间 时间:2025/12/28 19:13:14 查看 阅读:26

TISP4250M3BJR-S 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款瞬态电压抑制器(TVS)二极管,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电感负载切换和雷击浪涌等瞬态电压事件的损害。该器件采用SMD(表面贴装)封装,适用于广泛的工业、消费电子和通信应用。

参数

工作电压: 220V
  钳位电压: 368V @ Ipp = 10A
  峰值脉冲电流 (Ipp): 10A
  功率耗散: 300W
  封装类型: SOT-23-3
  工作温度范围: -55°C 至 +150°C

特性

TISP4250M3BJR-S 具有快速响应时间,可在纳秒级别内对瞬态电压进行钳位,从而保护后级电路不受损害。该器件的低漏电流设计(通常低于100nA)确保了在正常工作条件下不会对系统造成干扰。此外,其高可靠性设计使其能够在恶劣环境中稳定运行。
  TISP4250M3BJR-S 采用单向TVS结构,适用于直流电源线、信号线和数据线路的保护。其SOT-23-3小型封装使其非常适合空间受限的设计,并且支持自动化贴片工艺,提高了生产效率。
  该TVS二极管具有良好的浪涌吸收能力,并能够承受IEC 61000-4-2标准中规定的最高级别的静电放电(ESD)冲击(±8kV接触放电)。此外,它还符合IEC 61000-4-4(电快速瞬变脉冲群抗扰度)和IEC 61000-4-5(浪涌抗扰度)标准,适合用于工业和通信设备中的保护电路。

应用

TISP4250M3BJR-S 常用于电源适配器、智能电表、工业自动化设备、通信模块、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑)和汽车电子系统中的电压瞬态保护。其主要应用场景包括USB接口、RS-485接口、CAN总线、电源输入端口以及各种信号线路的保护。

替代型号

SMF4250A, SMAJ220CA, P6KE220C

TISP4250M3BJR-S推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

TISP4250M3BJR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 转折电流 VBO250 V
  • 最大转折电流 IBO0.6 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM190 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)10 uA
  • 关闭状态电容 CO50 pF
  • 最大工作温度+ 125 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DO-214AA
  • 封装Reel
  • 最小转折电流 IBO0.15 A
  • 最小工作温度- 40 C
  • 工厂包装数量3000