TISP4220H3BJR是一种双极型瞬态电压抑制器(TVS),由STMicroelectronics生产。该器件专门用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和浪涌等瞬态电压的损害。TISP4220H3BJR具有双向保护功能,适用于需要高可靠性和高性能保护的电路,特别是在工业控制、消费电子和通信设备中。该器件采用SOT-23-6封装,具有紧凑的尺寸和优异的电气性能。
类型:双向TVS
最大工作电压:20V
钳位电压(Vc):34V(在1.7A电流下)
最大反向关断电压(VRWM):20V
最大峰值脉冲电流(IPP):1.7A
最大电容:150pF
封装:SOT-23-6
TISP4220H3BJR的主要特性之一是其高效的双向保护能力,能够在正负两个方向上对瞬态电压进行有效抑制,从而提供全面的电路保护。该器件的响应时间非常短,能够在纳秒级时间内对瞬态电压事件做出反应,防止损坏下游的敏感电子元件。此外,TISP4220H3BJR具有较低的钳位电压,这意味着在保护过程中器件能够将电压限制在一个较低的水平,从而减少对被保护电路的影响。
另一个显著的特性是其低电容设计,最大电容仅为150pF,使得该器件非常适合用于高速信号线路的保护,不会对信号完整性造成明显干扰。这种特性使其在USB接口、HDMI接口和以太网端口等高频应用中表现出色。同时,TISP4220H3BJR具有较高的浪涌耐受能力,能够承受多次高能量的瞬态事件而不发生性能退化或损坏。
该器件的SOT-23-6封装设计不仅节省空间,还便于表面贴装工艺(SMT)的实现,提高了生产效率和可靠性。此外,TISP4220H3BJR的工作温度范围广泛,能够在-55°C至+150°C的环境下稳定工作,适用于各种苛刻的工业和汽车应用环境。
TISP4220H3BJR广泛应用于需要高可靠性保护的电子系统中。常见的应用场景包括工业控制设备、通信模块和消费类电子产品中的接口保护。例如,该器件可以用于保护USB 2.0和USB 3.0接口免受静电放电和瞬态电压的影响,确保数据传输的稳定性。在以太网接口中,TISP4220H3BJR能够为PHY芯片和连接器提供有效的保护,防止因雷击或电源故障引起的电压浪涌损坏设备。
在汽车电子系统中,TISP4220H3BJR可用于保护车载娱乐系统、导航设备和CAN总线接口,确保在复杂的电磁环境中系统的稳定运行。此外,该器件还常用于保护HDMI和DisplayPort等高清视频接口,防止因静电或瞬态电压导致的信号中断或设备损坏。由于其低电容特性,TISP4220H3BJR也适用于保护高速数据线路,如RS-485和CAN总线通信接口。
PESD24S1BA, ESDA6V1W5B