您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > TISP4219H3BJR-S

TISP4219H3BJR-S 发布时间 时间:2025/12/29 10:58:40 查看 阅读:33

TISP4219H3BJR-S 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款双向电压抑制二极管(TVS - Transient Voltage Suppressor),专门用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌等瞬态电压的损害。该器件采用SMD(表面贴装)封装,适用于高速数据线路和敏感电子设备的电路保护。其主要特点是响应速度快、钳位电压低、可靠性高,广泛应用于通信设备、工业控制、消费类电子产品等领域。

参数

类型:双向TVS二极管
  最大反向工作电压(VRWM):24V
  击穿电压(VBR):26.7V(最小值),29.5V(最大值)
  最大钳位电压(VC):42.3V @ 10A
  峰值脉冲电流(IPP):10A(8/20μs波形)
  功率耗散:600W(峰值脉冲功率)
  封装形式:SOT-23-6
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  湿度等级:1(符合JEDEC标准)

特性

TISP4219H3BJR-S 是一款高性能的双向瞬态电压抑制二极管,具有多项关键特性以确保电路的安全性和稳定性。
  首先,该器件具有双向保护功能,适用于正负电压瞬态的防护,特别适合于交流信号线路或双向数据接口的保护。其最大反向工作电压为24V,使其适用于24V系统中的保护应用,如工业自动化和PLC控制系统。
  其次,TISP4219H3BJR-S 的击穿电压范围为26.7V至29.5V,能够在电压超过该范围时迅速导通,将瞬态能量泄放到地,从而保护后续电路。其钳位电压为42.3V,在10A的测试条件下仍能保持较低的钳位电压,有助于减少对被保护器件的冲击。
  此外,该TVS二极管的峰值脉冲电流可达10A,具备较强的瞬态能量吸收能力。其600W的峰值脉冲功率额定值确保了在严苛的电磁环境中仍能稳定工作。SOT-23-6的小型封装形式不仅节省空间,还便于SMT工艺的自动化生产。
  最后,该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C,适用于各种恶劣环境条件,包括高温和低温应用场景。其符合RoHS标准,并具备较高的可靠性和长期稳定性,是工业和消费类电子产品中理想的电路保护器件。

应用

TISP4219H3BJR-S 主要用于需要瞬态电压保护的电子设备和系统中,尤其适用于以下应用场景:
  1. 工业控制系统:用于PLC、传感器、执行器等设备的输入输出端口保护,防止因静电或电感负载切换引起的瞬态电压损坏控制电路。
  2. 通信设备:在RS-485、CAN总线、以太网等通信接口中提供ESD和浪涌保护,确保数据传输的稳定性和可靠性。
  3. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、数码相机等设备的USB接口、音频接口等,防止用户操作过程中产生的静电对内部IC造成损坏。
  4. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、电池管理系统等电路的输入端保护,防止因电源瞬变引起的系统故障。
  5. 汽车电子:用于车载通信模块、控制单元等电路的保护,满足汽车电子对高可靠性和环境适应性的要求。
  由于其双向保护特性,TISP4219H3BJR-S 也适用于需要正负电压保护的模拟或数字信号线路。

替代型号

PESD24VL1BA-TR, TPD1E10B09 , ESDA6V1W5B-TR

TISP4219H3BJR-S推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

TISP4219H3BJR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 最大转折电流 IBO60 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM180 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.005 mA
  • 正向电压下降3 V
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DO-214AA
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 40 C
  • 工厂包装数量3000