MTD2955ET4G 是 Micron(美光)推出的一款基于 NAND Flash 技术的存储芯片,主要用于嵌入式系统和工业级应用中的数据存储。该芯片采用 3D TLC NAND 架构,具有高密度、低功耗和高性能的特点,适合需要大容量存储但对成本敏感的应用场景。
容量:4GB
接口类型:SPI NOR Flash
工作电压:2.7V 至 3.6V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:WSON16
擦写寿命:3000 次
数据保持时间:10 年
页大小:4KB
块大小:512KB
MTD2955ET4G 具有以下主要特性:
1. 高密度设计:通过 3D TLC NAND 技术实现了更高的存储密度,同时降低了单位容量的成本。
2. 低功耗:在读写操作中优化了功耗表现,非常适合电池供电设备或对功耗要求严格的场景。
3. SPI 接口:支持标准 SPI 协议,便于与微控制器或其他主控设备进行通信。
4. 宽温支持:工作温度范围从 -40°C 到 +85°C,确保其在恶劣环境下的可靠性。
5. 数据保护:具备强大的 ECC(错误校正码)机制,可以有效提高数据的可靠性和完整性。
6. 快速传输:提供较高的读写速度,满足实时数据处理的需求。
MTD2955ET4G 主要应用于以下领域:
1. 工业自动化:用于存储控制程序和关键数据,保障系统的稳定运行。
2. 物联网设备:为智能终端提供可靠的存储解决方案,如智能家居、可穿戴设备等。
3. 嵌入式系统:适用于各种嵌入式计算平台,例如路由器、交换机和其他网络设备。
4. 医疗电子:用于便携式医疗设备的数据记录和分析。
5. 汽车电子:为车载信息娱乐系统和驾驶辅助系统提供稳定的存储支持。
MT29F4G08AACWP, W29N01GQ, S34A2G01T1MNIA