晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：100V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散：300mW
　　频率响应：100MHz
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

CE1F3P 晶体管具有多种优异特性，使其在电子设计中非常受欢迎。首先，其最大集电极-发射极电压（Vceo）为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于需要较高电压耐受能力的电路。其次，该器件的集电极电流（Ic）最大为 100mA，适合中低功率的开关和放大应用。CE1F3P 的功率耗散为 300mW，能够在相对紧凑的封装中提供足够的功率处理能力，确保在高密度 PCB 设计中不会因过热而失效。
　　在高频性能方面，CE1F3P 的频率响应可达 100MHz，这使其适用于射频和中频放大器等高频电路。此外，其采用 SOT-23 小型封装，节省空间并便于表面贴装工艺（SMT）生产，适合自动化组装。CE1F3P 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表现出优异的热稳定性，适用于工业级和汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。
　　该晶体管的低饱和压降（Vce_sat）特性使其在开关应用中具有较低的功率损耗，提高了系统的整体能效。此外，CE1F3P 的基极-发射极电压（Vbe）通常在 0.7V 左右，适合与标准逻辑电路接口，简化了驱动电路的设计。

CE1F3P 主要用于低功率放大器、开关电路、逻辑接口电路以及各类通用电子设备中的信号处理模块。由于其优异的高频性能，CE1F3P 常用于射频前端电路、中频放大器以及振荡器等应用。在工业自动化和控制系统中，该晶体管可用于继电器驱动、传感器信号放大以及数字开关控制电路。CE1F3P 也广泛应用于消费类电子产品，如音频放大器、LED 驱动电路以及便携式设备中的电源管理模块。
　　在汽车电子领域，CE1F3P 可用于车身控制模块、车载传感器接口电路以及仪表盘指示灯驱动电路。由于其宽温度范围和高可靠性，CE1F3P 也适用于汽车环境下的恶劣工作条件。此外，在通信设备中，该晶体管可用于信号调制解调、数据传输接口以及无线通信模块的前置放大电路。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A