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TISP4200J3BJR-S 发布时间 时间:2025/12/28 19:16:38 查看 阅读:24

TISP4200J3BJR-S 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、电感负载切换和其它瞬态现象的影响。该器件采用三向保护结构,可在正向和负向瞬态电压条件下提供快速响应和高可靠性。TISP4200J3BJR-S 采用紧凑的 SOT-23-3 封装,适用于空间受限的电路设计。

参数

工作电压:3.3V 至 420V
  钳位电压:550V
  峰值脉冲电流:10A
  反向关态电压:420V
  响应时间:1ns
  封装类型:SOT-23-3
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

TISP4200J3BJR-S 是一款高性能的瞬态电压抑制器,专为保护高速通信线路、电源线路和其他敏感电子设备而设计。该器件具有极低的漏电流,在正常工作条件下对电路性能影响极小。其快速响应时间确保了在瞬态事件发生时能迅速钳位电压,从而防止对下游电路造成损害。
  TISP4200J3BJR-S 采用三向保护结构,能够对正向和负向瞬态电压提供对称保护,这在交流信号线路和差分信号线路中特别有用。其高可靠性设计使其能够在恶劣环境中长期稳定工作。
  该器件的 SOT-23-3 封装不仅节省空间,还便于表面贴装,适用于自动化生产流程。同时,该封装具有良好的热稳定性和机械强度,能够适应多种应用需求。
  TISP4200J3BJR-S 通过了多项国际标准认证,包括 IEC 61000-4-2 ESD 保护标准,适用于工业、消费电子和通信设备等多种领域。

应用

TISP4200J3BJR-S 广泛应用于需要瞬态电压保护的电子系统中。其主要应用包括但不限于:高速数据通信接口(如 USB、HDMI、RS-485)、以太网端口、电源输入端口、继电器和接触器的电感负载抑制、自动化工业控制系统、消费类电子产品(如智能手机、平板电脑和可穿戴设备)以及汽车电子系统中的信号和电源线路保护。
  由于其具备低漏电流、快速响应和三向保护功能,该器件特别适用于需要对差分信号线路进行双向保护的应用场合。此外,TISP4200J3BJR-S 也常用于保护微处理器、FPGA 和其他高价值半导体器件免受外部瞬态干扰的影响。

替代型号

PESD5V0S1BA, SMAJ420A, TVS27001BDBVR

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TISP4200J3BJR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 最大转折电流 IBO50 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM155 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.005 mA
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DO-214AA
  • 封装Reel
  • 工厂包装数量3000