KIA12N60H 时间：2025/12/28 14:50:32 阅读：13

KIA12N60H 是一款由Korea Electronics（KEC）公司生产的N沟道增强型高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压、高功率的电源转换和控制应用。这款MOSFET具有较高的耐压能力和较大的工作电流能力，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率管理设备。KIA12N60H采用TO-220封装，具备良好的散热性能和较高的可靠性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大连续漏极电流（ID）：12A
　　最大功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.48Ω @ VGS=10V
　　开启电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　输入电容（Ciss）：约1200pF
　　输出电容（Coss）：约350pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（为MOSFET，非二极管模式）

特性

KIA12N60H MOSFET 具备一系列优良的电气和物理特性，适用于高电压和高功率的应用环境。
　　首先，该器件的最大漏源电压（VDS）为600V，使其能够在高压系统中稳定运行，适用于如电源适配器、LED驱动电源、AC-DC转换器等高压应用场景。其最大连续漏极电流为12A，能够在较大负载条件下保持稳定的导通状态。
　　其次，该MOSFET的导通电阻（RDS(on)）较低，典型值为0.48Ω，在VGS=10V条件下，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。同时，其最大功率耗散为40W，结合TO-220封装良好的散热设计，可在高功率条件下保持较低的工作温度，提高系统稳定性。
　　此外，KIA12N60H具备较高的栅极驱动兼容性，栅源电压范围为±30V，开启电压（VGS(th)）为2V至4V，可在常见的10V驱动条件下实现快速导通，适合使用标准MOSFET驱动电路进行控制。其输入电容（Ciss）约为1200pF，输出电容（Coss）约为350pF，有助于减少开关过程中的寄生振荡，提升高频开关性能。
　　最后，该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力，可在-55℃至+150℃的温度范围内正常工作，适用于各种恶劣环境条件。其存储温度范围同样较宽，可达-55℃至+150℃，保证了在不同运输和存储条件下的可靠性。

应用

KIA12N60H MOSFET广泛应用于需要高压和高功率处理能力的电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、逆变器和UPS（不间断电源）系统等。在这些应用中，KIA12N60H可作为主开关元件，实现高效的能量转换和稳定的输出控制。此外，由于其良好的导通特性和较高的耐压能力，它也适用于工业自动化设备、家电控制模块和电动汽车充电模块等对可靠性要求较高的场合。