TISP4165M3BJR 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的瞬态电压抑制器(TVS),专门用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌电压的损害。该器件采用双向配置设计,适用于需要高抗扰度保护的信号线路和电源线路。TISP4165M3BJR 采用 SOT-23-6(M3J)封装,适用于紧凑型电子设备,例如通信设备、工业控制系统和消费类电子产品。
类型:瞬态电压抑制器(TVS)
极性:双向
工作电压:5.5V
钳位电压:16V(最大)
浪涌电流(8/20μs):5A
最大反向工作电压:5.5V
最大反向漏电流:100nA(最大)
响应时间:小于 1ns
封装类型:SOT-23-6
TISP4165M3BJR 具有优异的电气保护性能,能够在极短时间内响应瞬态电压事件,从而保护下游电路不受损害。其双向特性使其适用于交流信号线路和直流电源线路的保护。该器件的钳位电压较低,在浪涌事件中能够将电压限制在安全范围内,减少对受保护设备的影响。TISP4165M3BJR 还具有较高的浪涌耐受能力,能够在多次浪涌事件中保持稳定性能。
此外,该器件的封装尺寸小巧,适合在空间受限的设计中使用。其低电容特性使其适用于高速信号线路的保护,不会显著影响信号完整性。TISP4165M3BJR 的工作温度范围宽,适用于各种工业环境,并且具有良好的可靠性和长期稳定性。
TISP4165M3BJR 主要用于保护敏感电子设备免受静电放电、电快速瞬变脉冲群和浪涌电压的影响。它广泛应用于通信设备(如以太网接口、USB 接口)、工业自动化系统、便携式电子产品(如智能手机、平板电脑)、电源适配器和传感器模块等。在这些应用中,该器件能够有效防止由于静电放电或电源浪涌引起的系统故障,提高设备的可靠性和使用寿命。
TCLAMP4551MAYBJR, PGB104201DPX, TPS22810DSER