时间：2025/8/7 3:41:03
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TISP4145H3BJR 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款用于瞬态电压抑制（TVS）保护的半导体器件。该器件主要用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌电压和瞬态电压的损害。TISP4145H3BJR 是一种双向保护器件，适用于高要求的通信接口、工业控制和汽车电子等应用。
类型：双向瞬态电压抑制器（TVS）
最大反向工作电压：12V
钳位电压：23V（最大值）
最大峰值脉冲电流（IPP）：50A（8/20μs波形）
响应时间：小于1ns
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23-6
TISP4145H3BJR 采用先进的硅雪崩二极管技术，具有非常低的漏电流，在工作电压下几乎不消耗额外的电流，适用于低功耗系统设计。该器件的响应时间非常快，能够在纳秒级时间内响应瞬态电压事件，有效保护下游电路免受损坏。此外，TISP4145H3BJR 提供高达 50A 的峰值脉冲电流承受能力，能够吸收高强度的静电放电和电快速瞬变脉冲群（EFT）干扰。该器件的双向设计使其在差分信号线路保护中表现优异，适用于 USB、HDMI、以太网等高速接口。SOT-23-6 封装形式使得该器件在 PCB 上占用空间小，适合高密度布局的电子设备。
TISP4145H3BJR 主要用于需要高可靠性瞬态电压保护的场景，如通信设备、消费电子产品、工业自动化系统和汽车电子模块。在通信领域，该器件可用于保护以太网端口、RS-485 接口、USB 2.0 和 HDMI 等高速信号线路免受静电和浪涌损坏。在汽车电子中，该器件可用于保护车载娱乐系统、CAN 总线接口以及各种传感器信号线路。此外，在消费类电子产品中，TISP4145H3BJR 也广泛用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的 USB-C 和触摸屏接口保护。其低电容特性确保在高速信号传输过程中不会影响信号完整性。
TCLAMP4512B, ESDA6V1W5B, SMAJ12CA
