时间：2025/8/6 21:14:15
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TISP3125F3D 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的双路双向电压抑制二极管（TVS，Transient Voltage Suppressor），专为保护敏感的电子电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和浪涌电压的影响而设计。该器件采用小型 SOT-323（SC-70）封装，适合用于空间受限的应用场合。TISP3125F3D 采用半导体可控硅（Thyristor）结构，能够在高压瞬态事件发生时迅速导通，将电流引导至地，从而保护后端电路不受损坏。由于其双向保护特性和低钳位电压，TISP3125F3D 特别适用于需要对正负瞬态电压都进行保护的应用场景。
类型：双向 TVS 二极管
工作电压：5.0V
击穿电压：5.55V（最小值）
钳位电压：13.3V（最大值）
峰值脉冲电流（Ipp）：12A
响应时间：小于 1ns
封装形式：SOT-323（SC-70）
引脚数：3
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
保护线路数：2条
TISP3125F3D 的核心特性之一是其双向电压抑制能力，这使其能够在正负方向的电压瞬态事件中均提供有效的保护。该器件基于可控硅（Thyristor）结构设计，具有较低的维持电压，确保在瞬态事件结束后自动恢复到高阻态。与传统的单向 TVS 二极管相比，TISP3125F3D 不需要考虑极性连接问题，简化了电路设计。
其响应时间小于 1 纳秒，能够在静电放电或电快速瞬变脉冲群（EFT）等高速瞬态事件中迅速导通，从而将电压限制在安全范围内。此外，该器件的钳位电压为 13.3V（最大值），远低于许多标准 IC 的绝对最大额定电压，有助于防止后端电路受到损坏。
TISP3125F3D 采用 SOT-323 封装，尺寸小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。该封装还具备良好的热性能，确保在高能量瞬态事件中保持稳定运行。该器件符合 IEC 61000-4-2（静电放电抗扰度）Level 4 标准，适用于工业和消费类电子设备的电磁兼容性（EMC）设计。
另外，TISP3125F3D 在正常工作状态下呈现高阻态，不会影响电路的正常运行。在瞬态电压事件发生时，其导通特性可将电流从被保护器件转移至地，从而实现有效的能量吸收。这种设计使其成为保护 USB 接口、HDMI、RS-485 等高速数据线路的理想选择。
TISP3125F3D 主要用于需要对高速信号线路进行双向电压抑制的应用场合，广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统、通信设备和汽车电子系统中。常见的应用包括 USB 2.0、HDMI、LVDS、RS-485 等接口的静电放电（ESD）和浪涌保护。
在智能手机和平板电脑等便携设备中，TISP3125F3D 可用于保护 USB 接口免受用户插拔过程中产生的静电冲击。在工业自动化设备中，该器件可用于保护现场总线接口（如 CAN 或 RS-485）免受电磁干扰（EMI）或雷击浪涌的影响。
在汽车电子系统中，TISP3125F3D 可用于车载娱乐系统、仪表盘接口、远程通信模块等关键信号线路的保护，确保系统在复杂电磁环境中稳定运行。同时，它也适用于无线基站、路由器和交换机等通信基础设施，为高速数据线路提供可靠的 ESD 保护方案。
TCLAMP3125F, TISP4125H3B, TPS22810, SMAJ5.0A
