IXFX73N30 时间：2025/8/5 17:31:47 阅读：13

IXFX73N30是一款由IXYS公司生产的高功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于高电流和高电压的开关电路中。该器件采用TO-247封装，具备良好的热性能和高耐压能力，适用于工业电源、电机驱动、逆变器以及不间断电源（UPS）等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：300V
　　漏极电流(Id)：73A
　　导通电阻(Rds(on))：0.042Ω
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散(Pd)：200W

特性

IXFX73N30具有低导通电阻，这使得在高电流工作条件下能保持较低的导通损耗，提高系统效率。
　　其高耐压能力（300V）使其适用于多种高电压应用，同时具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力。
　　该MOSFET采用先进的平面技术制造，具有稳定的热性能和优异的长期可靠性。
　　此外，IXFX73N30的TO-247封装形式便于安装散热片，从而有效控制温度上升，提高系统的稳定性和寿命。
　　在高频开关应用中，该器件的开关损耗较低，适合用于高频逆变器或DC-DC转换器等设备。

应用

IXFX73N30主要用于需要高电流和高电压处理能力的电力电子设备中，例如工业电源、变频器、电机控制器、电焊机、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及其他需要高效能MOSFET的高功率应用场合。
　　在电机驱动系统中，IXFX73N30可用于构建H桥电路以控制电机的正反转和速度调节。
　　在电源供应器中，该器件常用于PFC（功率因数校正）电路和DC-DC转换部分，以实现高效能的能量转换。
　　由于其优异的热稳定性和高可靠性，IXFX73N30也广泛用于汽车电子系统，如电动汽车的充电模块和电池管理系统。