TISP3082F3P 时间：2025/8/6 20:36:51 阅读：15

TISP3082F3P是一款由STMicroelectronics制造的双路低电容双向电压抑制二极管（TVS）阵列，专为保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌和其他瞬态电压事件的影响而设计。该器件采用先进的硅雪崩技术，能够在极短的时间内将高瞬态能量引导至地，从而保护下游电路。TISP3082F3P特别适用于高速数据线和通信接口，如USB、HDMI、以太网等，提供高效的ESD保护，同时对信号完整性的影响最小。

参数

类型：TVS二极管阵列
　　通道数：2
　　反向关态电压（VRWM）：3.3V
　　击穿电压（VBR）：5.3V（最小）
　　钳位电压（VC）：13V（最大）
　　峰值脉冲电流（IPP）：4A
　　电容（C）：0.4pF（典型）
　　工作温度范围：-55°C 至 125°C
　　封装类型：SOT-23-5

特性

TISP3082F3P的主要特性之一是其超低的线路电容，仅为0.4pF，这使得它非常适合用于高速信号线路的保护。该器件采用双向保护结构，能够有效吸收正负极性的瞬态电压，适用于差分信号线路的保护需求。此外，TISP3082F3P的响应时间非常快，几乎在瞬态电压发生的瞬间就能启动保护机制，从而防止损坏敏感的下游元件。
　　另一个显著的优点是其紧凑的SOT-23-5封装，这不仅节省了PCB空间，还简化了在高密度电路板设计中的布局。该封装也符合RoHS标准，适合环保的制造流程。TISP3082F3P的钳位电压较低，能够在不影响电路正常工作的前提下提供高效的过压保护，这对于维持系统稳定性和可靠性至关重要。
　　该器件的额定ESD保护能力高达±15kV空气放电和±8kV接触放电，满足IEC 61000-4-2 Level 4标准，适用于工业和消费类电子设备中对ESD保护要求较高的应用。此外，TISP3082F3P的漏电流非常低，通常小于10nA，在常温下几乎不会对系统功耗产生影响。

应用

TISP3082F3P广泛应用于需要高速信号保护的场合，例如USB 2.0和USB 3.0接口、HDMI、DisplayPort、以太网接口、智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他便携式电子产品。在这些应用中，TISP3082F3P可以有效防止因静电放电或瞬态电压引起的损坏，确保设备的长期可靠运行。由于其低电容和高速特性，TISP3082F3P也非常适合用于保护高频模拟信号线路，如射频（RF）前端模块和天线接口。
　　除了消费类电子产品，TISP3082F3P也常用于工业控制系统、通信基础设施和汽车电子中的数据通信接口保护。在这些环境中，设备可能暴露于更严酷的电磁干扰条件下，TISP3082F3P能够提供必要的保护，防止因电压瞬变而导致的系统故障或性能下降。此外，该器件也适用于电源管理接口、传感器信号线以及各种低电压数字和模拟电路。