时间：2025/12/28 19:35:00
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TISP3072F3DR-S是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的低电容双线瞬态电压抑制器（TVS）二极管阵列，主要用于保护高速数据线路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和雷电浪涌等瞬态电压的损害。该器件采用微型DFN封装（2.0mm x 1.5mm），适合用于空间受限的便携式电子设备和通信接口保护。
类型：双向TVS二极管阵列
通道数：2
工作电压：3.3V至12V
最大钳位电压：14.5V（在Ipp=2A时）
反向关态电压（VRWM）：12V
峰值脉冲电流（Ipp）：2A
响应时间：<1ns
电容（每通道）：典型值为1.5pF
封装类型：DFN-6（2.0mm x 1.5mm）
工作温度范围：-40°C至+125°C
TISP3072F3DR-S具备低电容设计，确保在高速数据传输过程中不会影响信号完整性，适用于USB 2.0、HDMI、LVDS等高速接口的保护。
其双向结构可在两个方向上提供对地对称的保护，适用于差分信号线路。
该器件具有快速响应时间（小于1纳秒），能够在瞬态事件发生的瞬间提供有效保护。
封装尺寸小巧，适用于高密度PCB布局，并支持自动化贴装工艺。
其高可靠性设计使其能够在恶劣环境中稳定工作，适用于工业控制、消费类电子产品和通信设备等多种应用场景。
TISP3072F3DR-S广泛应用于各种需要高速线路保护的场合，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的USB接口和显示接口保护；工业通信模块的RS-485、CAN等接口保护；网络设备如路由器、交换机的以太网端口保护；以及汽车电子中车载娱乐系统、摄像头模块等高速数据线路的瞬态电压抑制保护。
TCL3072F3DR-S, ESD3072F3DR-S, TPD3E001B04, ESD3221BST
