TISP2082F3D是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的瞬态抑制保护二极管阵列器件,专为高速数据接口和敏感电子电路提供可靠的静电放电(ESD)和电气过应力(EOS)保护。该器件采用先进的硅压敏技术制造,具备低电容特性,适用于需要高信号完整性的通信端口保护。TISP2082F3D集成了多个双向TVS(瞬态电压抑制)二极管,能够有效钳制瞬态电压,防止其对下游集成电路造成损害。该器件广泛应用于消费类电子产品、工业控制系统以及通信设备中,尤其适合用于USB、HDMI、以太网、音频接口等高速信号线路的防护。其小型化封装设计不仅节省PCB空间,还便于在紧凑型设备中实现多通道保护。此外,TISP2082F3D符合国际环保标准,支持无铅焊接工艺,并通过了IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等关键电磁兼容性测试标准,确保在严苛环境下的稳定运行。
型号:TISP2082F3D
制造商:STMicroelectronics
通道数:4通道
工作电压(VRWM):5.5V
击穿电压(VBR):最小6.5V,典型7.3V
最大箝位电压(VC):14.5V(在IPP=1A条件下)
峰值脉冲电流(IPP):10A(8/20μs波形)
寄生电容(Ct):每通道典型值为1.5pF
ESD耐受能力:±20kV(接触放电,IEC 61000-4-2 Level 4)
封装类型:DFN-6(双扁平无引脚)
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
极性配置:双向保护
TISP2082F3D的核心优势在于其卓越的瞬态抑制能力和极低的寄生电容,这使其非常适合用于现代高速数据传输接口的保护。该器件内部集成了四个独立的双向TVS二极管通道,每个通道均可独立响应正负方向的瞬态电压冲击,从而实现对差分信号线或单端信号线的全面保护。由于其典型的结电容仅为1.5pF,远低于传统保护器件,因此在高频信号路径中引入的信号衰减和失真极小,确保了高速通信链路的完整性与稳定性。这对于USB 2.0、HDMI、MIPI等带宽要求较高的应用至关重要。
另一个显著特点是其强大的ESD防护能力,符合IEC 61000-4-2 Level 4标准,可承受高达±20kV的空气放电和±8kV的接触放电,极大地提升了终端产品的可靠性和使用寿命。同时,它还能应对EFT(电快速瞬变脉冲群)和雷击感应浪涌等更严重的电气干扰,满足IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5的相关要求。器件的响应时间极短,通常小于1纳秒,能够在瞬态事件发生的瞬间迅速导通并将能量泄放到地,有效避免敏感IC受损。
TISP2082F3D采用DFN-6小型化封装,尺寸紧凑(一般为1.6mm x 1.6mm x 0.55mm),非常适合空间受限的应用场景,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品。该封装具有良好的热性能和机械稳定性,支持自动化贴片生产,提高了制造效率。此外,该器件功耗低,在正常工作状态下几乎不消耗电流,不会影响系统的整体能效。所有材料均符合RoHS和REACH环保指令,不含卤素,支持绿色制造流程。综合来看,TISP2082F3D是一款高性能、高集成度且环境友好的多通道ESD保护解决方案,适用于多种复杂电磁环境下的精密电子系统。
TISP2082F3D主要应用于需要高等级静电放电保护的高速数据接口和便携式电子设备中。常见应用场景包括智能手机和平板电脑中的USB接口、耳机插孔、触摸屏控制器连接线以及摄像头模组的数据线路保护。由于其低电容特性,特别适合用于USB 2.0全速/高速模式下的D+和D-信号线防护,确保数据传输速率不受影响的同时提供强大抗扰能力。在消费类音频设备中,可用于保护麦克风输入、扬声器输出及数字音频接口(如I2S)免受人体静电或外部干扰的影响。
此外,该器件也广泛用于工业自动化领域的通信端口保护,例如RS-485、CAN总线接口等,在这些环境中可能存在较强的电磁干扰和电源波动,TISP2082F3D能够有效吸收瞬态能量,防止控制单元损坏。在网络通信设备中,如路由器、交换机的以太网PHY侧信号线也可采用此类器件进行前端防护。在汽车电子系统中,虽然该器件并非AEC-Q101认证产品,但仍可用于非关键性的车载信息娱乐系统接口保护,如后排USB充电口或辅助音视频输入端口。
医疗电子设备中对信号完整性和系统可靠性要求极高,TISP2082F3D因其稳定的电气性能和高ESD耐受能力,也被用于便携式监护仪、超声探头连接线等精密仪器的接口防护。总体而言,凡是存在频繁插拔操作、暴露于外部环境或用户直接接触的信号端口,都是TISP2082F3D的理想应用领域。其多通道设计使得单一器件即可完成多个信号线的同步保护,简化了电路布局并降低了物料成本。
ESD9L5.0ST5G
SP1203-04UTG
TPD4EUSB30DR