容量：8 Mbit
　　组织结构：512 K x 16 位 或 1024 K x 8 位
　　供电电压：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
　　封装类型：48-pin TSOP-I 或 48-ball FBGA
　　访问时间：90 ns
　　编程电压：内部电荷泵生成所需高压
　　待机电流：< 20 μA（典型值）
　　读取电流：< 15 mA（典型值）
　　编程/擦除电流：< 20 mA
　　接口类型：通用异步总线接口，支持 CE#、OE#、WE# 控制信号
　　写保护功能：支持 Vpp 和软件写保护
　　JEDEC 标准兼容：符合 EIAJ 和 JEDEC 的 3V Flash 存储器标准

MBM29LV800BA90PFTN-SFLE1 具备多项先进特性，使其在嵌入式系统中表现出卓越的可靠性和灵活性。首先，它采用 CMOS 技术实现低功耗运行，在待机模式下电流消耗极低，适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。其快速读取访问时间为 90ns，能够满足大多数微处理器系统的实时读取需求，确保系统响应迅速。
　　其次，该器件支持两种组织模式：16 位宽（x16）和 8 位宽（x8），通过硬件引脚 BYTE# 的配置可灵活切换，便于在不同总线架构的系统中使用。例如，在高性能系统中可以使用 x16 模式提升数据吞吐率，而在成本敏感或引脚受限的设计中则可切换至 x8 模式。
　　再者，该 Flash 芯片内置智能算法控制的编程与擦除操作。所有写入和擦除过程均由片内状态机自动管理，包括脉冲定时、验证和重试机制，从而减轻主控 MCU 的负担并提高操作成功率。用户只需发送相应的命令序列即可启动编程或擦除操作，无需干预底层细节。
　　此外，MBM29LV800BA 提供强大的数据保护机制。除了硬件级的 Vpp 写保护引脚外，还支持软件写保护功能，可通过特定命令序列锁定部分或全部存储区域，防止意外修改关键固件或配置数据。这种双重保护策略显著提升了系统在复杂电磁环境或异常断电情况下的数据完整性。
　　最后，该器件支持扇区擦除（Sector Erase）和整片擦除（Chip Erase）两种方式，允许精细粒度地更新固件内容。每个扇区大小为 16KB 或 64KB，便于实现增量升级和分区管理。同时，其耐久性可达 10 万次擦写周期，数据保存时间超过 10 年，完全满足工业控制、网络设备和消费类电子产品的长期使用需求。

MBM29LV800BA90PFTN-SFLE1 广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和远程 I/O 模块中存储固件程序和配置参数，其宽温特性和抗干扰能力确保在恶劣环境下稳定运行。
　　在网络通信设备中，如路由器、交换机、IP 摄像头等，该芯片用于存放启动代码（Bootloader）、操作系统镜像和网络配置信息，其快速读取性能有助于缩短设备启动时间。
　　在消费类电子产品方面，适用于机顶盒、打印机、数码相机和家用电器中的程序存储。由于支持低电压操作和低功耗模式，也适合便携式设备使用。
　　此外，在汽车电子系统中，可用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘显示模块或车身控制模块中存储应用程序代码，尤其是在不需要高速执行 XIP（就地执行）但要求高可靠性的场合。
　　医疗设备中也有应用，如便携式监护仪、超声设备控制面板等，利用其数据保持能力和耐久性保障设备长期运行的安全性。结合其工业级温度范围和 RoHS 合规特性，该器件也适用于户外设备、安防监控系统和智能电表等领域。

S29AL008D-90-0C/F100
　　AM29LV800BB-90SI5G
　　MX29LV800AB-90G