TISP1082F3DR 时间：2025/8/7 8:05:03 阅读：8

TISP1082F3DR是一款由Texas Instruments（德州仪器）制造的低电容双向电压抑制二极管（TVS），专门用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌电流和其他瞬态电压的损害。该器件采用先进的硅雪崩二极管技术，具有快速响应时间和高可靠性，适用于高速数据线路和通信接口的保护。TISP1082F3DR采用SOT23封装，便于在空间受限的电路中使用。

参数

类型：双向TVS二极管
　　工作电压：5V
　　击穿电压：6.4V
　　最大钳位电压：13.3V
　　峰值脉冲电流（IPP）：12.6A
　　反向漏电流（IR）：最大0.1μA @ 5V
　　电容（@ 1MHz）：最大5pF
　　封装：SOT23-5

特性

TISP1082F3DR具有多项优异的电气和物理特性，使其成为高性能电路保护的理想选择。
　　首先，该器件的低工作电压为5V，适用于低压电路系统的保护，能够有效防止因静电放电、雷击浪涌或开关瞬态引起的损坏。其击穿电压为6.4V，确保在正常工作电压下不会干扰电路运行，同时在电压超过安全阈值时迅速导通，将瞬态能量分流到地。
　　其次，该TVS具有较高的峰值脉冲电流承受能力（IPP达12.6A），可在极端瞬态条件下提供可靠的保护。其最大钳位电压为13.3V，在瞬态事件中能够将电压钳制在较低水平，从而保护后级电路不受损害。
　　此外，TISP1082F3DR的反向漏电流极低（最大0.1μA @ 5V），在正常工作条件下几乎不消耗系统功率，适用于对功耗敏感的应用场景。其低电容特性（最大5pF）使其特别适合用于高速信号线路的保护，如USB、HDMI、以太网等接口，避免信号失真或衰减。
　　该器件采用SOT23-5小型封装，节省PCB空间，便于在紧凑型电子设备中集成，同时具有良好的热稳定性和机械强度。

应用

TISP1082F3DR广泛应用于需要对低压高速接口进行瞬态电压保护的各类电子设备中。常见的应用包括便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的USB接口、HDMI接口、SD卡插槽等，用于防止静电放电造成的损坏。
　　在通信设备中，TISP1082F3DR可用于以太网端口、RS-485接口、CAN总线等通信线路的保护，防止因雷击或地电位差引起的瞬态电压冲击。
　　工业控制系统和自动化设备也常使用该器件来保护敏感的控制信号线和传感器接口，提高系统稳定性和可靠性。
　　另外，该TVS还适用于汽车电子系统中的车载娱乐系统、导航系统和车载通信模块，满足汽车环境对高可靠性和抗干扰能力的要求。