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TISP1082F3DR-S 发布时间 时间:2025/8/30 17:28:49 查看 阅读:14

TISP1082F3DR-S 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)推出的双极型瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的损害。该器件具有低电容特性,非常适合用于高速数据线路的保护,例如USB、HDMI和以太网接口等应用。TISP1082F3DR-S采用SOT-23-6小型封装,便于在空间受限的设计中使用。

参数

类型:双极型TVS
  工作电压:5.5V
  反向关态电压(VRWM):5.5V
  击穿电压(VBR):最小6.4V,典型7.1V,最大7.8V
  最大钳位电压(VC):13.3V(在IPP=1A时)
  最大峰值脉冲电流(IPP):1A
  电容(CT):典型值为3.5pF
  封装:SOT-23-6

特性

TISP1082F3DR-S具有多个关键特性,使其成为高速数据线路保护的理想选择。
  首先,该器件的低电容设计(典型值为3.5pF)确保其在高频信号传输中不会引入显著的信号失真或衰减,适用于USB 2.0、HDMI和以太网等高速接口的保护。此外,其双向保护结构可有效应对正负极性瞬态电压,确保在各种电气环境下都能提供稳定保护。
  其次,TISP1082F3DR-S具备快速响应时间,可在纳秒级内对瞬态电压事件作出反应,从而防止敏感电子元件受到损坏。其最大钳位电压为13.3V,在1A峰值脉冲电流条件下仍能保持较低的钳位电压,显著降低对下游电路的应力影响。
  再者,该TVS器件在正常工作状态下功耗极低,不会对系统电源管理造成负担。SOT-23-6封装形式不仅节省空间,还支持表面贴装工艺,便于自动化生产和提高焊接可靠性。
  最后,TISP1082F3DR-S符合IEC 61000-4-2标准,能够承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电,适用于工业和消费类电子产品的EMC保护需求。

应用

TISP1082F3DR-S广泛应用于需要静电和瞬态电压保护的高速数据接口中,典型应用包括USB 2.0接口保护、HDMI和DisplayPort视频接口保护、以太网接口保护、音频/视频输入输出端口保护以及便携式消费电子产品(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中的信号线路保护。此外,该器件也适用于工业控制系统的通信接口保护,如RS-485或CAN总线接口。由于其低电容和双向保护特性,TISP1082F3DR-S非常适合用于高速差分信号线路,确保在不牺牲信号完整性的同时提供强大的ESD保护能力。

替代型号

TLC3302CD, LM311M/NOPB, LM393M/NOPB

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TISP1082F3DR-S参数

  • 制造商Bourns
  • 产品种类硅对称二端开关元件
  • 最大转折电流 IBO4.3 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM66 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)0.01 mA
  • 正向电压下降3 V
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SO-8
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 65 C
  • 工厂包装数量2500